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標(biāo)簽 > 電阻式RAM
ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話(huà)說(shuō),關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺(tái)配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。
這種新型的存儲(chǔ)器消費(fèi)電流更低,比現(xiàn)有的手機(jī)采用的NAND型存儲(chǔ)速度快約1萬(wàn)倍。實(shí)用化后,將提高手機(jī)下載高畫(huà)質(zhì)動(dòng)畫(huà)速度,并且消耗更低的電量,從而可以延長(zhǎng)手機(jī)的使用時(shí)間。
以色列的 Weebit Nano 和法國(guó)研究機(jī)構(gòu) CEA-Leti 報(bào)告了電阻式 RAM (ReRAM) 技術(shù)的發(fā)展進(jìn)展,盡管很少有人準(zhǔn)備好迎接黃金時(shí)段...
據(jù)Web-Feet Research等分析公司預(yù)測(cè),到2018年,消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備的嵌入式內(nèi)存市場(chǎng)將突破28.8億美元,現(xiàn)在是我們?yōu)檫@一問(wèn)題想出解決方案的...
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