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      標(biāo)簽　>　相變化內(nèi)存

      相變化內(nèi)存

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      　　相變化內(nèi)存簡稱PCM， PRAM， PCRAM， CRAM，又譯為相變位內(nèi)存，是一種非易失性存儲器裝置。

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      相變化內(nèi)存簡介

      　　PRAM 使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成，主流為GeSbTe系合金。硫?qū)俨ＡУ奶匦允牵?jīng)由加熱可以改變它的狀態(tài)，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態(tài)具有相應(yīng)的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數(shù)值。 它是未來可能取代快閃存儲器的技術(shù)之一。

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      相變化內(nèi)存技術(shù)

      相變化內(nèi)存原理分析及設(shè)計(jì)使用技巧

      相變化內(nèi)存原理分析及設(shè)計(jì)使用技巧

      　　相變化內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非...

      2010-11-01 標(biāo)簽：相變化內(nèi)存 1021 0

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        NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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        +關(guān)注
        　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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        云盤
        +關(guān)注
        云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點(diǎn)。
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        FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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