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標簽 > 相變化內存

相變化內存

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  相變化內存簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM,又譯為相變位內存,是一種非易失性存儲器裝置。

文章: 1
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相變化內存簡介

  PRAM 使用含一種或多種硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)制成,主流為GeSbTe系合金。硫屬玻璃的特性是,經由加熱可以改變它的狀態,成為晶體(Crystalline)或非晶體(Amorphous)。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。 它是未來可能取代快閃存儲器的技術之一。

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相變化內存技術

相變化內存原理分析及設計使用技巧

相變化內存原理分析及設計使用技巧

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2010-11-01 標簽:相變化內存 947 0

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