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深圳真茂佳半導體有限公司是一家以技術、市場為導向技術領先的功率半導體國家高新技術企業。公司創始團隊具有20年以上的半導體制造管理、市場開發經驗,核心研發人員均擁有至少15年以上功率半導體器件的設計經驗。
深圳真茂佳半導體有限公司是一家以技術、市場為導向技術領先的功率半導體國家高新技術企業。公司創始團隊具有20年以上的半導體制造管理、市場開發經驗,核心研發人員均擁有至少15年以上功率半導體器件的設計經驗;其中海外設計人員長期從事汽車級MOSFET產品的設計開發,也是國際上少數最早參與車用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的設計人員之一。
公司基于汽車功率半導體器件平臺技術打造高可靠性產品,目前主要產品有溝槽MOSFET(20-200V)、SGT MOSFET(30-150V)、超級結MOSFET(600-900V)、集成快恢復二極管MOSFET(500-600V)、SIC二極管、SIC MOSFET。同時公司完全掌握GaNHEMT、IGBT產品設計與工藝技術,將根據市場需求擇時推出相關產品。目前公司有TO、SOP、DFN、SOT、WLCSP等系列封裝形式。
公司主要應用領域有電機驅動、電源、電池保護。其中在電機驅動、PD快充、適配器、通訊電源、無線充、嵌入式系統、車充、電池保護等領域優勢明顯。公司秉承以客戶為中心的經營理念,通過持續創新、不斷推出可比肩世界優秀廠家的高效、高可靠性、高性價比的功率器件,持續為客戶創造價值。
通過柵極自鉗位專利技術,使得器件使用過程中產生的VGS尖峰電壓實現了行業最低水平。通過屏蔽柵阻尼網絡專利技術可以使器件使用過程的Vds尖峰控制在較低水平。
型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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ZM040P04D | MOSFETs P-Channel 40V 90A TO-252 |
獲取價格
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ZMSA005N04HNC | MOSFETs 40V 360A DFN8_5X6MM |
獲取價格
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