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硅芯片技術(shù)

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中，離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。

2023-06-19 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 1075 0

Sandia Labs發(fā)明一種硅上集成微光學(xué)器件的方法

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近期，位于美國(guó)新墨西哥州阿爾伯克基的桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室（Sandia Labs）的科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種新型硅上集成微型激光器，并可以與其它微...

2023-08-14 標(biāo)簽：放大器激光器光隔離器 1068 0

設(shè)計(jì)低能耗嵌入式系統(tǒng)第一部分硅芯片選擇

低能耗待機(jī)狀態(tài)使MCU看上去具有超高能效，但事實(shí)是，只有考慮了控制工作模式功耗的所有因素后才能決定MCU的能效狀況。

2015-07-22 標(biāo)簽：硅芯片 1049 0

集成放大電路的連接常采用什么方式

1. 集成放大電路的基本概念集成放大電路是一種使用集成電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)的放大器，它將傳統(tǒng)的分立元件（如晶體管、電阻、電容等）集成在一個(gè)小型的硅芯片上。這種...

2024-08-01 標(biāo)簽：集成電路晶體管集成放大電路 955 0

專用集成電路設(shè)計(jì)流程包括專用集成電路的特點(diǎn)包括

專用集成電路（ASIC）設(shè)計(jì)流程是指將特定應(yīng)用需求轉(zhuǎn)化為硅芯片的過(guò)程。下面將詳細(xì)介紹ASIC設(shè)計(jì)流程，并進(jìn)一步探討ASIC的特點(diǎn)。一、ASIC設(shè)計(jì)流程...

2024-05-04 標(biāo)簽：邏輯電路 ASIC設(shè)計(jì)硅芯片 951 0

關(guān)于DRAM市場(chǎng)趨勢(shì)的“虛假謊言

在半導(dǎo)體邏輯的研發(fā)中，“小型化的極限”一直被人們談?wù)摗Ｕ缟洗翁岬降模舛诉壿婱OS FET的加工尺寸已不再與技術(shù)節(jié)點(diǎn)值相匹配，可以說(shuō)晶體管的小型化已經(jīng)...

2023-11-08 標(biāo)簽：MOSFET DRAM 存儲(chǔ)器 786 0

CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列（LGA） NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并...

2025-04-16 標(biāo)簽：封裝導(dǎo)通電阻 ESD保護(hù) 192 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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