金屬納米顆粒通過水基剝離方案使用嵌段共聚物模板

隨著納米結(jié)構(gòu)表面和界面在廣泛的科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用中變得越來越重要，確定可擴(kuò)展和廉價(jià)的方法來實(shí)現(xiàn)這些變成了一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。特別是有序、非密集、表面支撐的金屬納...

2023-10-26 標(biāo)簽：薄膜蝕刻PVA 445 0

Aigtek功率放大器應(yīng)用領(lǐng)域分享：微流控層流實(shí)現(xiàn)先進(jìn)聚合物薄膜

微流控技術(shù)是一種通過微小的通道和微型裝置對(duì)流體進(jìn)行精確操控和分析的技術(shù)，它是現(xiàn)代醫(yī)學(xué)技術(shù)發(fā)展過程中的一種重要的生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用前景和重要...

2024-08-20 標(biāo)簽：薄膜功率放大器微流控芯片 444 0

薄膜電容出現(xiàn)問題帶來的影響，你家電器中了幾條？

薄膜電容在電子設(shè)備中作用關(guān)鍵，但易損壞。損壞后會(huì)導(dǎo)致電路性能下降、設(shè)備發(fā)熱異常、信號(hào)失真與干擾及電子設(shè)備頻繁重啟，影響電子產(chǎn)品運(yùn)行和使用體驗(yàn)。因此在使用...

2024-09-13 標(biāo)簽：薄膜電容電子 409 0

高精度視覺絲印PVC薄膜應(yīng)用

PVC薄膜，全名為Polyvinylchlorid薄膜，是一種由聚氯乙烯（PVC）為主要成分制成的塑料薄膜。它以其獨(dú)特的物理和化學(xué)性能，在多個(gè)行業(yè)中得到...

2024-09-10 標(biāo)簽：薄膜PVC絲印 408 0

薄膜電容出現(xiàn)熱敏現(xiàn)象是怎么回事？

高溫易致電子產(chǎn)品損壞，尤其是薄膜電容等電子元件。高溫下材料老化、熱應(yīng)力、散熱不良等因素易引發(fā)薄膜電容熱敏現(xiàn)象，影響電氣性能。需保持電子產(chǎn)品正常工作溫度，...

2024-09-05 標(biāo)簽：薄膜電容電子 374 0

黃色外殼的薄膜電容和安規(guī)X電容是同一種電容嗎？

黃色外殼薄膜電容與安規(guī)X電容外觀雖然相似但不是同一種電容，薄膜電容采用塑料薄膜作介質(zhì)，不需要安規(guī)認(rèn)證；安規(guī)X電容用于抗干擾，需強(qiáng)制安規(guī)認(rèn)證，獲得安規(guī)認(rèn)證...

2024-10-28 標(biāo)簽：薄膜電容X電容 374 0

點(diǎn)光譜共焦測(cè)厚系統(tǒng)：薄膜厚度測(cè)量的創(chuàng)新利器

光譜共焦傳感器不受薄膜材料光學(xué)特性的過多干擾，無論是透明薄膜還是具有一定吸光性的薄膜，都可以進(jìn)行有效的測(cè)量。

2024-11-13 標(biāo)簽：傳感器薄膜光測(cè)量 373 0

了解薄膜電容的損耗

薄膜電容作為電子元器件，廣泛用于電路系統(tǒng)，在使用過程中存在損耗問題，損耗影響電容性能，且對(duì)電路系統(tǒng)穩(wěn)定性不利。損耗越小越好。

2024-09-25 標(biāo)簽：薄膜電容設(shè)備 368 0

倒裝晶片裝配對(duì)助焊劑應(yīng)用單元的要求

助焊劑應(yīng)用單元是控制助焊劑浸蘸工藝的重要部分，其工作的基本原理就是要獲得設(shè)定厚度的穩(wěn)定的助焊劑薄膜，以便于元件各焊球蘸取的助焊劑的量一致。我們以環(huán)球儀器...

2023-09-21 標(biāo)簽：薄膜元件助焊劑 362 0

奇怪，薄膜電容容量為什么變少了？

薄膜電容廣泛用于電子設(shè)備，但長期使用薄膜電容容量減少，影響設(shè)備的正常工作。容量減少原因包括老化效應(yīng)、工作環(huán)境、電壓過高及生產(chǎn)工藝問題。需了解原因并采取措...

2024-08-12 標(biāo)簽：薄膜電容容量 362 0

薄膜電容的厲害之處

薄膜電容，是電子元件中一類重要的電容器，以一層或多層很薄的絕緣塑料薄膜為介質(zhì)，兩側(cè)蒸鍍金屬層作為電極而制成的電容器。 薄膜電容在電子、家電、通訊、電力...

2024-12-10 標(biāo)簽：電路薄膜電容 349 0

不同頻率的薄膜電容

薄膜電容是以金屬箔為電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜制成的電容器。 因有無極性、耐壓高、溫度特性好、絕緣阻抗高、頻率特性好等優(yōu)...

2024-11-07 標(biāo)簽：薄膜電容頻率 346 0

RS-ALD技術(shù)制備的Al2O3薄膜在TOPCon電池邊緣鈍化中的應(yīng)用研究

硅太陽能電池和組件在光伏市場(chǎng)占主導(dǎo)，但半電池切割產(chǎn)生的新表面會(huì)加劇載流子復(fù)合，影響電池效率，邊緣鈍化技術(shù)可解決此問題。Al2O3薄膜穩(wěn)定性高、介電常數(shù)高...

2025-01-13 標(biāo)簽：薄膜光伏電池 314 0

薄膜電容不是配角而是主角

薄膜電容在電子設(shè)備中不可或缺，其結(jié)構(gòu)簡單、高頻特性好、容量范圍廣且穩(wěn)定性佳，廣泛應(yīng)用于多領(lǐng)域。選用正規(guī)廠家生產(chǎn)的合格薄膜電容，對(duì)電路性能提升和設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)...

2024-08-06 標(biāo)簽：薄膜電容設(shè)備 278 0

薄膜電容：電子產(chǎn)品的好幫手

薄膜電容以金屬箔為電極，具有無極性、高絕緣阻抗和優(yōu)異頻率特性，是電子產(chǎn)品中不可缺的關(guān)鍵元件，能提高電路穩(wěn)定性和信號(hào)傳輸質(zhì)量，使電子產(chǎn)品更加耐用。

2024-12-26 標(biāo)簽：薄膜電容高頻 269 0

薄膜電容表面有劃痕正常嗎？

薄膜電容是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯、聚丙烯、聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜從兩端重疊后卷繞成圓筒狀構(gòu)造的電容器。 薄膜電容絕緣電阻高，容量范圍廣，穩(wěn)定...

2024-11-21 標(biāo)簽：薄膜電容電子 260 0

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...

2025-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜工藝 120 0

LPCVD氮化硅薄膜生長的機(jī)理

可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮...

2025-02-07 標(biāo)簽：芯片薄膜氮化硅 107 0