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標(biāo)簽 > 閃存控制器
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NAND閃存市場(chǎng)分析 閃存控制器行業(yè)玩家分析
2021年至2027年,以百萬計(jì)為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長(zhǎng)率(CAGR)為3%(見圖3),其中,汽車應(yīng)用增長(zhǎng)最快,CAGR為20%;其次則是數(shù)據(jù)中...
TBW的概念及寫入放大系數(shù) 如何降低寫入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響
TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響,實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。
在設(shè)計(jì)使用NAND閃存的系統(tǒng)時(shí),選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅V匾?閃存控制器還必須足夠靈活,以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對(duì)于確保閃存滿足產(chǎn)品要求...
2020-12-03 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)NAND閃存閃存控制器 2991 0
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