pSLC閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng)，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái)，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...

2023-08-02 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)slc 5555 0

關(guān)于嵌入式閃存的一些詳細(xì)知識(shí)解析

多年來(lái)，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動(dòng)著半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的年收入已經(jīng)超過(guò)300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效...

2018-06-21 標(biāo)簽：閃存嵌入式 5477 0

如何利用閃存存儲(chǔ)改善工作負(fù)載應(yīng)用的性能和結(jié)果

閃存存儲(chǔ)可實(shí)現(xiàn)更高的吞吐量，這意味著每秒鐘可以處理更多數(shù)量的連續(xù)消息。

2018-01-04 標(biāo)簽：閃存美光科技 5292 0

閃存顆粒的封裝形式介紹

閃存顆粒有TSOP和BGA兩種封裝形式，前者在顆粒兩側(cè)各有一排引腳，后者則在芯片底部有大量的信號(hào)觸點(diǎn)。它們二者有何區(qū)別？

2020-08-30 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)顆粒 5192 0

NOR FLASH的結(jié)構(gòu)和特性及原理圖

與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問(wèn)性能。

2024-02-19 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)芯片非易失性存儲(chǔ)器 5145 0

探討閃存特點(diǎn)及作為存儲(chǔ)介質(zhì)面臨的挑戰(zhàn)

閃存塊（Block）具有一定的壽命，不是長(zhǎng)生不老的。前面提到，當(dāng)一個(gè)閃存塊接近或者超出其最大擦寫次數(shù)時(shí)，可能導(dǎo)致存儲(chǔ)單元的永久性損傷，不能再使用。隨著閃...

2018-07-25 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ) 5083 0

YTM32系列MCU Flash模塊功能詳解

Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲(chǔ)器，按照實(shí)現(xiàn)方式和運(yùn)行特性Flash一般還會(huì)分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機(jī)地址的讀取方...

2023-07-24 標(biāo)簽：mcu閃存寄存器 5055 0

SSD上成功地進(jìn)行全系統(tǒng)的本地權(quán)限提升的攻擊的要求

Rowhammer [10,19]把硬件的內(nèi)部運(yùn)作引入到我們的注意力中。 Rowhammer利用內(nèi)存管理更深層次的缺陷來(lái)破壞敏感的內(nèi)存區(qū)域。最近的工作表...

2018-03-20 標(biāo)簽：閃存SSD 4950 0

耐輻射FPGA具備高可靠性和可重構(gòu)性，助力解決航天器設(shè)計(jì)中的挑戰(zhàn)

在各種輻射效應(yīng)中，有一種稱為總電離劑量（TID），它是由空間中的帶電粒子和伽馬射線引起的輻射所致。

2021-10-28 標(biāo)簽：fpga閃存航天器 4893 0

基于用閃存為儲(chǔ)存的固態(tài)硬盤

發(fā)現(xiàn)閑置的物理塊區(qū)塊個(gè)數(shù)不足(少于3)，啟動(dòng)垃圾回收，將物理區(qū)塊3上的有效數(shù)據(jù)（LBA3 數(shù)據(jù)）寫至物理區(qū)塊4，更新LBA3的邏輯物理塊映像表格，并將物...

2018-03-27 標(biāo)簽：閃存固態(tài)硬盤 4863 0

破解全閃存存儲(chǔ)介質(zhì)壽命問(wèn)題的方法？

SSD（固態(tài)硬盤）的壽命問(wèn)題是用戶使用全閃陣列時(shí)關(guān)注的焦點(diǎn)。如何能夠讓用戶放心使用全閃陣列，保障在5年內(nèi)存儲(chǔ)系統(tǒng)不會(huì)因?yàn)镾SD壽命耗盡而出現(xiàn)問(wèn)題，是全閃...

2018-07-24 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ) 4400 0