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驅(qū)動電壓

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　　驅(qū)動電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。

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驅(qū)動電壓技術(shù)

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igbt驅(qū)動電壓過高過低的后果

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達(dá)林頓模塊驅(qū)動電壓是幾伏

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外置OTP及主動降功率功能的PD快充芯片U8733的主要特點有哪些

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功率MOSFET的正反向?qū)ǖ刃щ娐穲D

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IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別

IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET，其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個 P+基板（IGBT 的集電極），形成P...

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為什么小功率無刷直流電機(jī)中的MOS管會燒毀？

若該電阻太大，因為MOS管會有結(jié)電容，管子太大充電速度慢，管子很長時間達(dá)不到飽和開通狀態(tài)，從而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內(nèi)即可。

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2024-02-17 標(biāo)簽：電源管理電池充電器負(fù)載開關(guān) 3644 1

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SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰的抑制方法簡析（下）

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SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰與抑制方法分析（上）

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共模/差模/偶模/奇模你能區(qū)分嗎？

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MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程簡析

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