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標簽 > 3d nand
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種新興的閃存類型,通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快,但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間,但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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Gartner:2016年全球半導體晶圓級制造設備年增11%
在3D NAND與尖端邏輯芯片制程設備支出成長推動下,調研機構Gartner表示,2016全年全球半導體晶圓級制造設備市場規模年增11.3%,達374....
日前,網友發現華為P10不同批次手機采用了不同規格的閃存芯片。網上對此眾說紛紜。華為官方也因此發表聲明,華為手機跟國內外多家優秀的閃存供應商合作,同時為...
相較而言,大眾市場 SSD 是專為成本敏感的消費領域( 消費娛樂音頻/視頻應用程序)而設計,可能允許一定的數據錯誤。
蘋果閃存芯供應商推出256Gb 3D NAND 或用于未來iPhone
據報道,蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層,256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊,這比以前的 48...
近日,東芝(Toshiba)出售NANDFlash事業群的競標案炒得熱鬧,近期臺灣經濟部工業局也找臺灣多家存儲器相關業者密談應對之策,將再找晶圓代工業者...
據臺灣媒體報道,東芝(Toshiba)出售NAND Flash事業群的競標案炒得熱鬧,近期臺灣經濟部工業局也找臺灣多家存儲器相關業者密談應對之策,將再找...
據海外媒體報道,去年下半年以來NAND Flash市場供不應求,主要關鍵在于上游原廠全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND,但3D N...
2017-02-27 標簽:存儲器NAND Flash3D NAND 1547 0
近日,由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。
2月16日據中科院網站消息,近日,由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D N...
1月18日下午,新春佳節來臨之際,從南京傳來喜訊,紫光南京半導體產業基地項目簽約。據披露,此次投資達到2600億元,目前雙方已經敲定了產線動工日期。聯系...
SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內存傳明年開始量產,韓聯社 26 日引述知情人事消息報導指出,海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設計,...
儲存型快閃存儲器(NAND Flash)軍備競賽再起,南韓存儲器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲器產能;...
2016-12-26 標簽:NAND Flash3D NAND 688 0
近日,東南大學網站的一則《北京兆易創新-合肥共建項目招聘簡章》受到行業內關注,盡管事后兆易創新發布澄清說明,稱其與合肥長鑫及其相關方的合作項目目前僅處于...
目前,我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優勢,但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產品上。如今的問題在于,海力士(...
武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司。長江存儲將以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產制造能力為基礎,繼續拓展武漢新芯目前的物聯網業務布局,并...
經過8個多月的努力,英特爾大連非易失性存儲(NVRAM)制造新項目7月初在大連實現提前投產。去年10月,英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界...
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