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高K金屬柵極的結(jié)構(gòu)、材料、優(yōu)勢(shì)以及工藝流程
本文簡(jiǎn)單介紹了高K金屬柵極的結(jié)構(gòu)、材料、優(yōu)勢(shì)以及工藝流程。 ? High-K Metal Gate(HKMG)技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一,廣泛...
2024-11-25 標(biāo)簽:HKMG半導(dǎo)體制造金屬柵極 1123 0
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制,防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問題,因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,器件尺寸不斷縮小,性能不斷提升。然而,這種縮小也帶來了一系列挑戰(zhàn),如柵極漏電流增加、多晶硅柵耗盡效應(yīng)等。為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),業(yè)...
蘋果A6處理器是蘋果公司于2012年9月12日發(fā)布的最新移動(dòng)處理器。蘋果下一代移動(dòng)產(chǎn)品將會(huì)全部采用A6處理器,其中iPhone5已經(jīng)率先采用了最新的A6...
在移動(dòng)通信芯片領(lǐng)域,高通是第一家量產(chǎn)了28nm制程的移動(dòng)芯片廠商,2013年是28nm制程的普及年,除了聯(lián)芯和展訊還在使用40nm制程外,其余各家移動(dòng)通...
2014-02-25 標(biāo)簽:HKMG移動(dòng)芯片 8248 0
為了讓大家一窺 Intel在半導(dǎo)體制造工藝上的牛逼,筆者選取數(shù)月前參加Intel新品交流會(huì)后,印象深刻的45nm以下HKMG的成型工藝來做探討。
格羅方德可望以28納米制程在中國(guó)大陸芯片市場(chǎng)打下一片天。對(duì)此,格羅方德透過先期研發(fā)合作及保證產(chǎn)能供應(yīng)等策略,積極拉攏中國(guó)大陸芯片商,并已成功搶下瑞芯微等客戶。
2013-06-24 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)HKMG28nm 1376 1
專訪格羅方德Subramani Kengeri:28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵在于HKMG
本文主要講述了28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵在于HKMG。HKMG:high-k絕緣層+金屬柵極。HKMG的優(yōu)勢(shì):不管使用Gate-first和Gate-last...
IMEC發(fā)布后柵極HKMG制式細(xì)節(jié),英特爾、三星受益
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊:納米電子研究中心IMEC (Leuven, Belgium) 正評(píng)估用未來新型三極管替代金屬柵極(RMG)技術(shù)和當(dāng)前高K金屬柵極 (HK...
HKMG實(shí)現(xiàn)工藝的兩大流派及其詳解 隨著晶體管尺寸的不斷縮小,HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級(jí)別制程的必備技
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