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標(biāo)簽 > SST39VF401C
SST39VF401C/402C 和 SST39LF401C/402C 是采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術(shù)制造的 512K x16 CMOS 多用途閃存 + (MPF+)器件。與其他方法相比,分離柵極單元設(shè)計(jì)和厚氧化層隧穿注入器可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和可制造性。
SST39VF401C/402C 和 SST39LF401C/402C 是采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術(shù)制造的 512K x16 CMOS 多用途閃存 + (MPF+)器件。與其他方法相比,分離柵極單元設(shè)計(jì)和厚氧化層隧穿注入器可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和可制造性。SST39VF401C/402C 和 SST39LF401C/402C 使用 2.7-3.6V 電源進(jìn)行寫(xiě)操作 (編程或擦除)。這些器件遵從 x16 存儲(chǔ)器的 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)引腳排列。
SST39VF401C/402C和SST39LF401C/402C器件具有高性能的字編程能力,其典型字編程時(shí)間為7 μs。這些器件使用翻轉(zhuǎn)位、數(shù)據(jù) # 查詢或 RY/BY# 引腳來(lái)指示編程操作是否完成。為了防止意外寫(xiě)操作,這些器件提供了片上硬件和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)方案。這些器件針對(duì)一系列廣泛應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試,典型可擦寫(xiě)次數(shù)可確保達(dá)到 100,000 次。數(shù)據(jù)額定保存時(shí)間則大于 100 年。 SST39VF401C/402C 和 SST39LF401C/402C 器件適用于需要方便且經(jīng)濟(jì)地更新程序、配置或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的應(yīng)用。
對(duì)于所有系統(tǒng)應(yīng)用,它們都可以顯著提高性能和可靠性,同時(shí)降低功耗。相較于其他閃存技術(shù),它們本質(zhì)上在擦除和編程期間消耗的能量更低。消耗的總能量是應(yīng)用中施加電壓、電流和時(shí)間的函數(shù)。對(duì)于任何給定的電壓范圍,SuperFlash 技術(shù)的編程電流更低、擦除時(shí)間更短;因此,在任何擦除或編程操作期間消耗的總能量低于其他閃存技術(shù)。
在降低程序、數(shù)據(jù)和配置存儲(chǔ)應(yīng)用成本的同時(shí),這些器件還可以提高靈活性。 SuperFlash 技術(shù)支持固定的擦除和編程時(shí)間,時(shí)間與所發(fā)生的擦除 / 編程次數(shù)無(wú)關(guān)。因此,系統(tǒng)軟件或硬件不需要進(jìn)行修改或降額,這一點(diǎn)不同于其他一些擦除和編程時(shí)間會(huì)隨擦除 / 編程次數(shù)累積而增加的閃存技術(shù)。為
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類別:IC datasheet pdf 2017-10-30 標(biāo)簽:閃存SST39VF401C 1668 0
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