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CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補金屬氧化物半導體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數字集成電路的基本單元。
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一款針對N溝道功率MOSFET和IGBT的集成三個半橋柵極驅動器的單芯片
STDRIVE601采用小體積的SO28封裝,可替代三個半橋驅動器以簡化PCB板布局。6路輸出均可實現350mA灌電流和200mA拉電流,且柵極驅動電壓...
Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規模集成陣列天線技術成果通過了鑒定
目前用于射頻芯片的40nm和28nmCMOS工藝特征頻率已經超過250GHz,在理論上完全可以滿足毫米波應用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術的突破,...
CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標準工藝,但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創建圖案。另一方面,MEMS是采用體硅加工工藝嵌...
日本Brookman基于其CMOS飛行時間傳感器BT008D擴充了ToF產品組合
BT008D是一款基于短脈沖調制(SPM)間接飛行時間(iToF)傳感技術的CMOS ToF深度圖像傳感器。其大約80000個有效像素測量點有利于快速后...
成像領域專家開發用于光學天文學和醫學成像領域的超低噪聲CMOS圖像傳感器
該項目通過拼接CMOS技術進行大面積成像,并充分利用vivaMOS傳感器的低噪聲和高靈敏度性能。這將有助于開發用于光學天文學的大視場攝像機,并為單光子發...
在硅基CMOS毫米波技術路線取得重大突破,在大規模相控陣天線集成度方面國際領先;成果在5G/6G毫米波和寬帶衛星通信等領域具有廣闊的應用前景,在該領域“...
在激光雷達領域,固態化是實現激光雷達規模化普及的業內公認的產品方案,其中包括Flash、MEMS、OPA等主流固態技術。其中Flash探測距離較短,難以...
一款基于標準28nm CMOS工藝集成的60GHz毫米波運動檢測雷達
這款傳感器的功耗僅為62mW,顯著低于該頻率范圍內的其它先進雷達。僅1μs的快速啟動時間支持激進的占空比,進一步降低了系統功耗。其尺寸為4.15mm2的...
在安全化和智能化的雙重驅動下,車載先進駕駛輔助系統(ADAS)對于圖像傳感器的成像性能要求越來越高。作為智能汽車的“眼睛”,CMOS圖像傳感器需要在不斷...
富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通實驗室和富士通株式會社聯合開發出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯(1)制程的CMOS高壓晶體管,該晶體管適用于無...
值得一提的是,除了先進的邏輯制程,臺積電還擁有完整的特殊制程技術,包括MEMS、CMOS影像感測器、Non-Volatile Memory (NVM)、...
與光耦合器不同,CMOS隔離器在性能,可靠性,操作穩定性,功耗節省和功能集成方面具有顯著優勢。CMOS隔離器的工作速率為DC至150Mbps,占用的空間...
此項目是集成電路制造企業與國際業界公司、研究機構合作模式上的重大突破,充分整合了國際產業鏈的上下游公司、國際尖端研發力量等優勢資源。以企業為主導創新,可...
日本新瀉(Niigata)的 5/6 英寸混合制造設施可支持模擬 CMOS工藝
新瀉 5/6 英寸制造設施是 2011 年收購日本三洋公司而獲得,認設施通過了 IATF 16949 車規認證。現在晶圓制造廠獲得車規認證頗為不易,也許...
基于LTC2320 SAR ADC 系列的評估電路板 DC2395A
LTC2320-16 是一個 16 位、14 位和 12 位 SAR ADC 系列的首款器件,提供了單通道、雙通道、4 通道和 8 通道版本,采樣率可高...
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