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DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。
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FB:Feedback。反饋。升壓、降壓電路上都會有反饋信號,意義和Reference是類似的,芯片根據(jù)外部采集來的電壓高低,動態(tài)調(diào)整輸出。外部電壓偏低...
世界正經(jīng)歷生成的數(shù)據(jù)量呈爆發(fā)增長之勢,隨著新技術(shù)在更廣泛的范圍內(nèi)實現(xiàn),這一趨勢預(yù)計將進一步加快。典型的實例包括:5G形式的下一代無線通信,領(lǐng)域不斷擴展的...
內(nèi)存技術(shù)作為計算機系統(tǒng)的核心組成部分,其性能的提升對于整體計算能力的提升至關(guān)重要。
2024-02-23 標簽:DRAMDDR內(nèi)存技術(shù) 1661 0
DDR的拓撲結(jié)構(gòu)有哪些 DDR簡介 (1)DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人...
2023-03-07 標簽:DDR 1649 0
華邦針對SiP市場推出32bit SDR/DDR利基型內(nèi)存
華邦電子針對系統(tǒng)級封裝(SiP)市場,推出最新65奈米制程32bit帶寬 32M / 64Mb SDR / DDR 利基型內(nèi)存
一站式定制芯片及IP供應(yīng)商燦芯半導(dǎo)體推出兩項創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層
一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency (零延遲)和True-Adaptive(真自適應(yīng))...
由于時鐘域交匯處理不當所導(dǎo)致罕見的比特翻轉(zhuǎn)
本篇博文中的分析是根據(jù)真實客戶問題撰寫的,該客戶發(fā)現(xiàn)在現(xiàn)場出現(xiàn)罕見的比特翻轉(zhuǎn), 本篇博文旨在演示用于縮小根本原因范圍以及修復(fù)此問題的部分調(diào)試技巧。 最終...
以下文章來源于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ,作者暢秋 編輯:感知芯視界 2023年已經(jīng)過半,在全球芯片市場低迷,以及美國限制政策的雙重作用下,中國半導(dǎo)體業(yè)在上半年的...
根據(jù)我們實際測試數(shù)據(jù),開啟這2個功能后,測試平臺所使用的芝奇Trident Z5 Neo焰鋒戟DDR5-6000 16GBx2內(nèi)存,其延遲直接從72ns...
AMD發(fā)布全新FPGA:升級16nm、功耗驟降60%
收購賽靈思已經(jīng)整整兩年,AMD FPGA產(chǎn)品和業(yè)務(wù)也一直在不斷取得新的進步,今天又正式發(fā)布了全新的FPGA產(chǎn)品“Spartan UltraScale+”...
宜鼎助攻半導(dǎo)體先進AOI檢測 工業(yè)級DDR5系列驅(qū)動全球AI智能應(yīng)用
全球工業(yè)級存儲與內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌宜鼎國際積極推動AI智能應(yīng)用發(fā)展,除推出InnodiskAI智能邊緣運算解決方案,更成功將旗下工業(yè)級DRAM模塊導(dǎo)入半導(dǎo)體產(chǎn)...
DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別? DDR(雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率)是一種常用于計算機內(nèi)存的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。在DDR中,終端匹配電阻和信號質(zhì)量是對于...
2023-12-29 標簽:數(shù)據(jù)傳輸DDR信號失真 1528 0
優(yōu)群轉(zhuǎn)型連接器廠成功,帶動近年營收獲利連續(xù)走高
DDR4 站穩(wěn)市場利基,法人預(yù)期,連接器廠優(yōu)群 (3217)去年每股稅后盈余近3元,至少是掛牌次高、甚至挑戰(zhàn)新高成績,現(xiàn)金股利也有機會同步刷新紀錄,經(jīng)...
芯原專為高性能汽車應(yīng)用而設(shè)計的圖像信號處理器通過標準認證
2024年1月8日,美國拉斯維加斯——芯原股份 (芯原,股票代碼:688521.SH) 今日宣布其專為高性能汽車應(yīng)用而設(shè)計的圖像信號處理器 (ISP) ...
Phison會進入RAM-based Storage這個市場嗎?
隨著PCIe Gen5, Gen6的普及,SSD的速度會越來越快。NAND Flash自身的速度也在增加,2年前一個Channel只能支持1.2GB/s...
DDR2名詞解釋 DDR2的定義: DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)進行開發(fā)的...
2009-04-26 標簽:DDR 1421 0
為什么多片DDR菊花鏈拓撲連接時末端需要接很多的電阻? 多片DDR菊花鏈拓撲連接時末端需要接很多電阻的原因是因為信號時序和信號完整性的要求。 DDR是一...
元件堆疊裝配(PoP, Package on Package), 在底部元器件上面再放置元器件,邏輯+存儲通常為2到4層,存儲型PoP可達8層。外形高度...
創(chuàng)意電子高速傳輸接口及高速DDR存儲器技術(shù)
創(chuàng)意電子的IP生態(tài)系統(tǒng)(IP Eco-System)為整體解決方案之一環(huán),讓客戶能夠便于選擇及使用GUC創(chuàng)意電子、TSMC臺積電公司和其它IP供應(yīng)商的產(chǎn)...
DDR存儲器電氣特性驗證 前言 幾乎每一個電子設(shè)備,從智能手機到服務(wù)器,都使用了某種形式的RAM存儲器。盡管閃存NAND繼續(xù)流行(由于各式各...
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