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標(biāo)簽 > ddr4
DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日,三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。
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ChinaJoy 2023大展期間,AMD在中國(guó)首發(fā)了新款顯卡RX 7900 GRE。
隨著經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇,芯片市場(chǎng)的需求又將進(jìn)入增長(zhǎng)軌道。
芯片產(chǎn)業(yè)迎來(lái)轉(zhuǎn)折點(diǎn)
2023年已經(jīng)過(guò)半,在上半年,整個(gè)電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)低迷,更令人擔(dān)憂的是,第二季度的供需行情不如預(yù)期,這給下半年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展蒙上了一層陰影。
2023-07-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì) 973 0
存儲(chǔ)周期大底漸進(jìn)?DRAM大廠財(cái)報(bào)釋放多個(gè)積極信號(hào)
今日早盤(pán),存儲(chǔ)芯片概念股集體走高。截至今日收盤(pán),盈方微漲停;江波龍漲超9%,兆易創(chuàng)新漲超8%,普冉股份漲超6%、東芯股份等漲超5%;聚辰股份、朗科科技等跟漲。
近日,HBM成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù)TrendForce預(yù)測(cè),2023年高帶寬內(nèi)存(HBM)比特量預(yù)計(jì)將達(dá)到2.9億GB,同比增長(zhǎng)約60%,2024年...
今年Q3,存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來(lái)拐點(diǎn)。
存儲(chǔ)三巨頭欲拉動(dòng)DRAM價(jià)格上漲 目標(biāo)漲幅7-8%
存儲(chǔ)芯片行業(yè)目前正面臨長(zhǎng)時(shí)間虧損衰退的情況,DRAM價(jià)格已經(jīng)跌至不可再降的水平,但巨頭廠商似乎計(jì)劃推動(dòng)價(jià)格上漲。
存儲(chǔ)芯片拐點(diǎn)何時(shí)到來(lái)?DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌
市場(chǎng)上,DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌,4月份DDR4 8Gb批發(fā)價(jià)為每個(gè)1.48美元左右,環(huán)比下跌1%。
CPU-Z升級(jí):大力支持中國(guó)兆芯x86處理器
最權(quán)威的CPU處理器相關(guān)識(shí)別、測(cè)試工具CPU-Z迎來(lái)了最新的2.06正式版,更新力度相當(dāng)大,除了增加支持Intel、AMD、NVIDIA的新硬件,還特別...
DDR5 已占據(jù)整個(gè) DRAM 市場(chǎng)份額的 10%,2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場(chǎng)可能最先推廣DDR5,服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)高性能有著絕對(duì)的需求。
DDR5內(nèi)存市場(chǎng)逐漸成熟 DDR4慘遭拋棄
14代酷睿在移動(dòng)平臺(tái)對(duì)應(yīng)的是Meteor Lake,桌面則是Arrow Lake-S,后者將搭配800系芯片組主板,包括Z890、B860和H810,其...
突破創(chuàng)新!長(zhǎng)工微電子提供高密度DDR4電源解決方案,授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)代理
日前,世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱(chēng)“世強(qiáng)先進(jìn)”)和東莞長(zhǎng)工微電子有限公司(下稱(chēng)“長(zhǎng)工微電子”)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,授權(quán)世強(qiáng)先進(jìn)全線代理其旗下電源...
第五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(英語(yǔ):double data rate fifth-generation synchronous dynamic...
關(guān)于DDR4的繞等長(zhǎng),您想知道的都有
對(duì)于DDR4的設(shè)計(jì),相信攻城獅們經(jīng)歷過(guò)萬(wàn)千項(xiàng)目的歷練,肯定是很得心應(yīng)手,應(yīng)該已經(jīng)有自己的獨(dú)門(mén)技巧了。
2022-09-19 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)DDR4 2608 0
凱智通DDR DIMM雙面彈測(cè)試治具的5大優(yōu)點(diǎn)
凱智通最新發(fā)布DDR DIMM雙面彈測(cè)試治具適用于DDR?/5測(cè)試的,與之前常用的導(dǎo)電膠,從材質(zhì)還是工作原理都各不相同,我們今天就來(lái)比較一下這兩款的區(qū)別。
DDR4與DDR3的對(duì)戰(zhàn) DDR5已經(jīng)成為主流
當(dāng)時(shí)英特爾已經(jīng)指出了DDR2 800面臨的挑戰(zhàn)。第一,DDR2已經(jīng)跟不上處理器發(fā)展的趨勢(shì),核心頻率超過(guò)200MHz的DDR2產(chǎn)品生產(chǎn)難度加大、良品率低,...
從增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)到人工智能、云計(jì)算再到物聯(lián)網(wǎng),5G正在燃爆新技術(shù)增長(zhǎng),同時(shí)也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來(lái)越大,隨之而來(lái)的是存儲(chǔ)和快速訪問(wèn)需求,DDR5之...
但在 MSAP 中,除了電路之外的區(qū)域都經(jīng)過(guò)涂層處理,而空白區(qū)域則進(jìn)行了電鍍,從而可以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的電路。三星副總裁說(shuō),隨著存儲(chǔ)芯片容量和數(shù)據(jù)處理速度的增...
三星大力生產(chǎn)DDR5,加速DDR4向DDR5過(guò)渡
通過(guò)對(duì)硅層進(jìn)行研磨,三星已經(jīng)能夠使組成裸片的厚度減少40%,并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實(shí)際上更薄,分別為1.0毫米和 1....
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