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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成史上第一條DDR4內(nèi)存。

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AMD RX 7900 GRE走出中國(guó)！

ChinaJoy 2023大展期間，AMD在中國(guó)首發(fā)了新款顯卡RX 7900 GRE。

2023-07-31 標(biāo)簽：處理器編解碼器 DDR4 1343 0

芯片制造商表示供應(yīng)過(guò)剩有所緩解

隨著經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇，芯片市場(chǎng)的需求又將進(jìn)入增長(zhǎng)軌道。

2023-07-30 標(biāo)簽：人工智能 DDR4 AI芯片 1173 0

芯片產(chǎn)業(yè)迎來(lái)轉(zhuǎn)折點(diǎn)

2023年已經(jīng)過(guò)半，在上半年，整個(gè)電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)低迷，更令人擔(dān)憂的是，第二季度的供需行情不如預(yù)期，這給下半年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展蒙上了一層陰影。

2023-07-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 IC設(shè)計(jì) 973 0

存儲(chǔ)周期大底漸進(jìn)？DRAM大廠財(cái)報(bào)釋放多個(gè)積極信號(hào)

今日早盤(pán)，存儲(chǔ)芯片概念股集體走高。截至今日收盤(pán)，盈方微漲停；江波龍漲超9%，兆易創(chuàng)新漲超8%，普冉股份漲超6%、東芯股份等漲超5%；聚辰股份、朗科科技等跟漲。

2023-07-12 標(biāo)簽：DRAM 人工智能 DDR4 741 0

大模型市場(chǎng)，不止帶火HBM

近日，HBM成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，2023年高帶寬內(nèi)存（HBM）比特量預(yù)計(jì)將達(dá)到2.9億GB，同比增長(zhǎng)約60%，2024年...

2023-07-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 DDR4 SDRAM控制器 1293 0

三季度DRAM和NAND閃存價(jià)格跌幅放緩

今年Q3，存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格有望迎來(lái)拐點(diǎn)。

2023-07-03 標(biāo)簽：DRAM SSD NAND閃存 982 0

存儲(chǔ)三巨頭欲拉動(dòng)DRAM價(jià)格上漲目標(biāo)漲幅7-8%

存儲(chǔ)芯片行業(yè)目前正面臨長(zhǎng)時(shí)間虧損衰退的情況，DRAM價(jià)格已經(jīng)跌至不可再降的水平，但巨頭廠商似乎計(jì)劃推動(dòng)價(jià)格上漲。

2023-06-29 標(biāo)簽：DRAM DDR4 存儲(chǔ)芯片 966 0

存儲(chǔ)芯片拐點(diǎn)何時(shí)到來(lái)？DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌

市場(chǎng)上，DRAM價(jià)格已連續(xù)12個(gè)月下跌，4月份DDR4 8Gb批發(fā)價(jià)為每個(gè)1.48美元左右，環(huán)比下跌1%。

2023-06-01 標(biāo)簽：DRAM DDR4 存儲(chǔ)芯片 2217 0

CPU-Z升級(jí)：大力支持中國(guó)兆芯x86處理器

最權(quán)威的CPU處理器相關(guān)識(shí)別、測(cè)試工具CPU-Z迎來(lái)了最新的2.06正式版，更新力度相當(dāng)大，除了增加支持Intel、AMD、NVIDIA的新硬件，還特別...

2023-05-29 標(biāo)簽：處理器 USB接口 DDR4 572 0

DDR5與DDR4的關(guān)鍵區(qū)別在哪里？

DDR5 已占據(jù)整個(gè) DRAM 市場(chǎng)份額的 10%，2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場(chǎng)可能最先推廣DDR5，服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)高性能有著絕對(duì)的需求。

2023-04-18 標(biāo)簽：服務(wù)器 DDR4 DDR5 2915 0

DDR5內(nèi)存市場(chǎng)逐漸成熟 DDR4慘遭拋棄

14代酷睿在移動(dòng)平臺(tái)對(duì)應(yīng)的是Meteor Lake，桌面則是Arrow Lake-S，后者將搭配800系芯片組主板，包括Z890、B860和H810，其...

2023-03-23 標(biāo)簽：內(nèi)存 DDR4 DDR5 1332 0

突破創(chuàng)新！長(zhǎng)工微電子提供高密度DDR4電源解決方案，授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)代理

日前，世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱(chēng)“世強(qiáng)先進(jìn)”)和東莞長(zhǎng)工微電子有限公司(下稱(chēng)“長(zhǎng)工微電子”)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，授權(quán)世強(qiáng)先進(jìn)全線代理其旗下電源...

2023-02-09 標(biāo)簽：電源 DDR4 世強(qiáng) 1668 0

DDR5與DDR4區(qū)別

第五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(英語(yǔ)：double data rate fifth-generation synchronous dynamic...

2022-11-14 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 DDR4 DDR5 4742 0

關(guān)于DDR4的繞等長(zhǎng)，您想知道的都有

對(duì)于DDR4的設(shè)計(jì)，相信攻城獅們經(jīng)歷過(guò)萬(wàn)千項(xiàng)目的歷練，肯定是很得心應(yīng)手，應(yīng)該已經(jīng)有自己的獨(dú)門(mén)技巧了。

2022-09-19 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)DDR4 2608 0

凱智通DDR DIMM雙面彈測(cè)試治具的5大優(yōu)點(diǎn)

凱智通最新發(fā)布DDR DIMM雙面彈測(cè)試治具適用于DDR?/5測(cè)試的，與之前常用的導(dǎo)電膠，從材質(zhì)還是工作原理都各不相同，我們今天就來(lái)比較一下這兩款的區(qū)別。

2022-09-09 標(biāo)簽：DDR DDR4 DDR5 2215 0

DDR DIMM雙面彈測(cè)試治具介紹

目前DDR發(fā)展越來(lái)越成熟，從幾年前的DDR2到現(xiàn)在運(yùn)用廣泛的DDR3，DDR4到最新出售的DDR5，電壓降低，頻率變高，支持更大容量，速度有效提升，所以...

2022-09-08 標(biāo)簽：DDR DDR4 凱智通 1865 0

DDR4與DDR3的對(duì)戰(zhàn) DDR5已經(jīng)成為主流

當(dāng)時(shí)英特爾已經(jīng)指出了DDR2 800面臨的挑戰(zhàn)。第一，DDR2已經(jīng)跟不上處理器發(fā)展的趨勢(shì)，核心頻率超過(guò)200MHz的DDR2產(chǎn)品生產(chǎn)難度加大、良品率低，...

2022-09-05 標(biāo)簽：DDR3 DDR4 2871 0

DDR5內(nèi)存具體有哪些變化

從增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)到人工智能、云計(jì)算再到物聯(lián)網(wǎng)，5G正在燃爆新技術(shù)增長(zhǎng)，同時(shí)也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來(lái)越大，隨之而來(lái)的是存儲(chǔ)和快速訪問(wèn)需求，DDR5之...

2022-08-01 標(biāo)簽：內(nèi)存 DDR4 泰克科技 1418 0

關(guān)于DDR6我們可能面臨的挑戰(zhàn)

但在 MSAP 中，除了電路之外的區(qū)域都經(jīng)過(guò)涂層處理，而空白區(qū)域則進(jìn)行了電鍍，從而可以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的電路。三星副總裁說(shuō)，隨著存儲(chǔ)芯片容量和數(shù)據(jù)處理速度的增...

2022-07-25 標(biāo)簽：芯片內(nèi)存 DDR4 2285 0

三星大力生產(chǎn)DDR5，加速DDR4向DDR5過(guò)渡

通過(guò)對(duì)硅層進(jìn)行研磨，三星已經(jīng)能夠使組成裸片的厚度減少40%，并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實(shí)際上更薄，分別為1.0毫米和 1....

2022-06-28 標(biāo)簽：DRAM SSD DDR4 1351 0

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