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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關機就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術

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淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰(zhàn)

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2023-01-09 標簽：電容器 DRAM 光刻膠 1824 0

非易失性半導體存儲器的相變機制

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2011-09-07 標簽：PCM DRAM 存儲器 1759 0

漫談交換式電源的原理與設計

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2023-04-04 標簽：模擬電路 DRAM 輸出電壓 1668 0

磁性隨機存取存儲器（MRAM)制造工藝

磁性隧道結（MTJ）通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽（MgO 或Al2O3）層組成的，它可以實現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...

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長江存儲致態(tài)Ti600 2TB SSD評測分析

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簡單認識動態(tài)隨機存取存儲器

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高速DRAM的training

隨著每一代接口(Interface)和存儲(memory)的頻率和速率的提高，信號采樣以及傳輸變得越來越困難，因為數(shù)據(jù)眼(data eyes)越來越小。

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