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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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熱概念增強(qiáng)DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)
熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)也在不斷發(fā)展,并可能影響為耐用性...
在芯片成品制造環(huán)節(jié)中,市場(chǎng)對(duì)于傳統(tǒng)打線封裝的依賴仍居高不下。市場(chǎng)對(duì)于使用多芯片堆疊技術(shù)、來實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲(chǔ)密度的需求也日益增長(zhǎng)。這類需求給半導(dǎo)體...
在提高內(nèi)存速度的情況下如何降低傳輸慢對(duì)系統(tǒng)性能帶來負(fù)面影響
緩存又有分為一級(jí)緩存、二級(jí)緩存等等。他們的速度也有所不同,從一級(jí)緩存以后讀取速度依次降低。為什么呢?雖然都是采用的SRAM存儲(chǔ)器,但是數(shù)據(jù)檢索需要時(shí)間,...
2022-08-04 標(biāo)簽:DRAMcpuSRAM存儲(chǔ)器 1462 0
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”
日前,甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會(huì)”長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為國內(nèi)專業(yè)從事DRAM...
2022-08-04 標(biāo)簽:DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 3270 0
HBM3如何滿足市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求
盡管業(yè)界對(duì)包括摩爾定律、內(nèi)存墻差異等傳統(tǒng)原則的有效性爭(zhēng)議不斷,但半導(dǎo)體領(lǐng)域仍普遍認(rèn)為,多年來內(nèi)存行業(yè)的價(jià)值主張?jiān)诤艽蟪潭壬鲜冀K以系統(tǒng)級(jí)需求為導(dǎo)向,已經(jīng)突...
CXL 3.0標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布,下一個(gè)完整版本CXL 3.0
這是一個(gè)雄心勃勃但得到廣泛支持的路線圖,在短短三年內(nèi)使,CXL 便成為事實(shí)上的先進(jìn)設(shè)備互連標(biāo)準(zhǔn),這就導(dǎo)致競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手標(biāo)準(zhǔn) Gen-Z、CCIX 以及截至昨天...
DRAM的類型及其訪問方式成為設(shè)計(jì)中心的考慮因素
瑞薩半導(dǎo)體副總裁兼總經(jīng)理拉米·塞西對(duì)此表示同意。“人們普遍承認(rèn)DDR總線在支持多時(shí)隙配置方面的能力將隨著時(shí)間的推移而變得越來越困難。當(dāng)你以每秒6、7、8...
海力士表示,第二季度用于設(shè)備和服務(wù)器的DRAM芯片出貨量較第一季度增長(zhǎng)約10%,NAND閃存芯片的出貨量以高個(gè)位數(shù)的百分比增長(zhǎng)。第二季度銷售額創(chuàng)下2...
存儲(chǔ)設(shè)備制造商瞄準(zhǔn) ASIL 合規(guī)性
多倫多 — DDR5 在 DRAM 市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位還需要一段時(shí)間,但在汽車應(yīng)用方面,搶占先機(jī)以使存儲(chǔ)設(shè)備符合最新、最出色的汽車系統(tǒng)的可靠性和功能安全...
2022-07-15 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)設(shè)備asil 896 0
該路線圖已演變?yōu)閲H設(shè)備和系統(tǒng)路線圖或IRDS路線圖,與ITRS路線圖的不同的是,它更多地是由上而下,而不是由下而上推導(dǎo)出來的。換句話說,它不是由芯片制...
英特爾傲騰持久內(nèi)存助力移動(dòng)云應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛內(nèi)存挑戰(zhàn)
在數(shù)字化創(chuàng)新快速發(fā)展的今天,海量數(shù)據(jù)加速處理與分析需求激增,以高性能、低時(shí)延為特征的 Redis 等內(nèi)存數(shù)據(jù)庫開始在各行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。 Redis 作...
FinFET確切的說,是一個(gè)技術(shù)的代稱。世界上第一個(gè)3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功,當(dāng)時(shí)英特爾稱其為 “Tri-Gate”(三柵極...
2022 年 7 月 7 日,上海— 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代...
IRDS路線圖中More Moore部分預(yù)測(cè)了傳統(tǒng)邏輯和存儲(chǔ)芯片的改進(jìn)。這部分升級(jí)是由大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算和性能改進(jìn)的一般需求驅(qū)動(dòng)的。據(jù)預(yù)測(cè),高性能邏...
全球最大的移動(dòng)應(yīng)用解決方案提供商—JSC濟(jì)州半導(dǎo)體
DRAM 主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷...
三星大力生產(chǎn)DDR5,加速DDR4向DDR5過渡
通過對(duì)硅層進(jìn)行研磨,三星已經(jīng)能夠使組成裸片的厚度減少40%,并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實(shí)際上更薄,分別為1.0毫米和 1....
缺芯潮出現(xiàn)緩解現(xiàn)象 模擬芯片價(jià)格或回落
NAND Flash部分,隨著鎧俠(Kioxia)及西部數(shù)據(jù)(WDC)產(chǎn)出逐月提升,產(chǎn)能明顯足以滿足需求位元的增加,但消費(fèi)性電子如筆電疫后需求降溫導(dǎo)致...
PC DRAM方面,在需求持續(xù)走弱情況下,引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo),同時(shí)也造成DRAM庫存快速飆升,第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化D...
深圳國資投資DRAM廠商,坂本幸雄加入昇維旭公司;三星停購零組件 通知供貨商延后發(fā)貨
深圳國資投資DRAM廠商,坂本幸雄加入昇維旭公司;三星停購零組件 通知供貨商延后發(fā)貨
存儲(chǔ)器將在年底面臨產(chǎn)能過剩危機(jī)
在存儲(chǔ)器領(lǐng)域中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)是應(yīng)用最高的品類,產(chǎn)品市占率約60%;其次是NAND約占36%,NOR Flash 的份額非常小,約3%。
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