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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

熱概念增強(qiáng)DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)

熱概念增強(qiáng)DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)也在不斷發(fā)展,并可能影響為耐用性...

2022-08-17 標(biāo)簽:pcbDRAM散熱器 1161 0

一文解析多芯片堆疊封裝技術(shù)(上)

在芯片成品制造環(huán)節(jié)中,市場(chǎng)對(duì)于傳統(tǒng)打線封裝的依賴仍居高不下。市場(chǎng)對(duì)于使用多芯片堆疊技術(shù)、來實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲(chǔ)密度的需求也日益增長(zhǎng)。這類需求給半導(dǎo)體...

2022-08-07 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器晶圓 4374 0

在提高內(nèi)存速度的情況下如何降低傳輸慢對(duì)系統(tǒng)性能帶來負(fù)面影響

緩存又有分為一級(jí)緩存、二級(jí)緩存等等。他們的速度也有所不同,從一級(jí)緩存以后讀取速度依次降低。為什么呢?雖然都是采用的SRAM存儲(chǔ)器,但是數(shù)據(jù)檢索需要時(shí)間,...

2022-08-04 標(biāo)簽:DRAMcpuSRAM存儲(chǔ)器 1462 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

日前,甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會(huì)”長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為國內(nèi)專業(yè)從事DRAM...

2022-08-04 標(biāo)簽:DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 3270 0

HBM3如何滿足市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求

盡管業(yè)界對(duì)包括摩爾定律、內(nèi)存墻差異等傳統(tǒng)原則的有效性爭(zhēng)議不斷,但半導(dǎo)體領(lǐng)域仍普遍認(rèn)為,多年來內(nèi)存行業(yè)的價(jià)值主張?jiān)诤艽蟪潭壬鲜冀K以系統(tǒng)級(jí)需求為導(dǎo)向,已經(jīng)突...

2022-08-04 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM3 869 0

CXL 3.0標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布,下一個(gè)完整版本CXL 3.0

這是一個(gè)雄心勃勃但得到廣泛支持的路線圖,在短短三年內(nèi)使,CXL 便成為事實(shí)上的先進(jìn)設(shè)備互連標(biāo)準(zhǔn),這就導(dǎo)致競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手標(biāo)準(zhǔn) Gen-Z、CCIX 以及截至昨天...

2022-08-04 標(biāo)簽:DRAMcpuPCI 1351 0

DRAM的類型及其訪問方式成為設(shè)計(jì)中心的考慮因素

瑞薩半導(dǎo)體副總裁兼總經(jīng)理拉米·塞西對(duì)此表示同意。“人們普遍承認(rèn)DDR總線在支持多時(shí)隙配置方面的能力將隨著時(shí)間的推移而變得越來越困難。當(dāng)你以每秒6、7、8...

2022-07-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMDDR 1032 0

海力士第二季度銷售額創(chuàng)下20年來新高

  海力士表示,第二季度用于設(shè)備和服務(wù)器的DRAM芯片出貨量較第一季度增長(zhǎng)約10%,NAND閃存芯片的出貨量以高個(gè)位數(shù)的百分比增長(zhǎng)。第二季度銷售額創(chuàng)下2...

2022-07-28 標(biāo)簽:DRAM海力士服務(wù)器 1075 0

存儲(chǔ)設(shè)備制造商瞄準(zhǔn) ASIL 合規(guī)性

多倫多 — DDR5 在 DRAM 市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位還需要一段時(shí)間,但在汽車應(yīng)用方面,搶占先機(jī)以使存儲(chǔ)設(shè)備符合最新、最出色的汽車系統(tǒng)的可靠性和功能安全...

2022-07-15 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)設(shè)備asil 896 0

有關(guān)芯片光刻路線圖的一些知識(shí)分享

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該路線圖已演變?yōu)閲H設(shè)備和系統(tǒng)路線圖或IRDS路線圖,與ITRS路線圖的不同的是,它更多地是由上而下,而不是由下而上推導(dǎo)出來的。換句話說,它不是由芯片制...

2022-07-10 標(biāo)簽:芯片DRAM 3378 0

英特爾傲騰持久內(nèi)存助力移動(dòng)云應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛內(nèi)存挑戰(zhàn)

在數(shù)字化創(chuàng)新快速發(fā)展的今天,海量數(shù)據(jù)加速處理與分析需求激增,以高性能、低時(shí)延為特征的 Redis 等內(nèi)存數(shù)據(jù)庫開始在各行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。 Redis 作...

2022-07-08 標(biāo)簽:英特爾DRAM內(nèi)存 834 0

3D封裝技術(shù)如火如荼 3D DRAM正在路上

FinFET確切的說,是一個(gè)技術(shù)的代稱。世界上第一個(gè)3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功,當(dāng)時(shí)英特爾稱其為 “Tri-Gate”(三柵極...

2022-07-08 標(biāo)簽:DRAM摩爾定律晶體管 1954 0

美光科技推出全新DDR5服務(wù)器DRAM

2022 年 7 月 7 日,上海— 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代...

2022-07-07 標(biāo)簽:DRAM服務(wù)器美光科技 2598 0

有關(guān)芯片光刻路線圖的一些知識(shí)

IRDS路線圖中More Moore部分預(yù)測(cè)了傳統(tǒng)邏輯和存儲(chǔ)芯片的改進(jìn)。這部分升級(jí)是由大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算和性能改進(jìn)的一般需求驅(qū)動(dòng)的。據(jù)預(yù)測(cè),高性能邏...

2022-06-30 標(biāo)簽:芯片DRAM光刻 2264 0

全球最大的移動(dòng)應(yīng)用解決方案提供商—JSC濟(jì)州半導(dǎo)體

DRAM 主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象,導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷...

2022-06-29 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)IC 3668 0

三星大力生產(chǎn)DDR5,加速DDR4向DDR5過渡

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通過對(duì)硅層進(jìn)行研磨,三星已經(jīng)能夠使組成裸片的厚度減少40%,并同樣減少層間距——因此這些密度更大的DDR5集成芯片組實(shí)際上更薄,分別為1.0毫米和 1....

2022-06-28 標(biāo)簽:DRAMSSDDDR4 1259 0

缺芯潮出現(xiàn)緩解現(xiàn)象 模擬芯片價(jià)格或回落

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 NAND Flash部分,隨著鎧俠(Kioxia)及西部數(shù)據(jù)(WDC)產(chǎn)出逐月提升,產(chǎn)能明顯足以滿足需求位元的增加,但消費(fèi)性電子如筆電疫后需求降溫導(dǎo)致...

2022-06-27 標(biāo)簽:mcuDRAMMLCC 2010 0

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PC DRAM方面,在需求持續(xù)走弱情況下,引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo),同時(shí)也造成DRAM庫存快速飆升,第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化D...

2022-06-21 標(biāo)簽:DRAMDDR3DDR4 2377 0

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2022-06-18 標(biāo)簽:DRAM三星 3.5萬 0

存儲(chǔ)器將在年底面臨產(chǎn)能過剩危機(jī)

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在存儲(chǔ)器領(lǐng)域中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)是應(yīng)用最高的品類,產(chǎn)品市占率約60%;其次是NAND約占36%,NOR Flash 的份額非常小,約3%。

2022-06-17 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器 1773 0

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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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