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euv

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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段,本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題,國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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euv資訊

7納米制程競(jìng)爭(zhēng)激烈 臺(tái)積電3月領(lǐng)先量產(chǎn)

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7納米EUV制程戰(zhàn)火燃 臺(tái)積電3月領(lǐng)先量產(chǎn)

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2019-02-13 標(biāo)簽:臺(tái)積電EUV7納米 4648 0

探析EUV光刻未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)

探析EUV光刻未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)

用于高端邏輯半導(dǎo)體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet,極紫外線光刻)曝光技術(shù)的未來(lái)藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野,從7nm階段的技術(shù)節(jié)點(diǎn)...

2019-01-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體EUV 3316 0

三星表示將在2019下半年量產(chǎn)內(nèi)含EUV技術(shù)的7納米制程 2021年量產(chǎn)3納米GAA制程

為了減低近期存儲(chǔ)器降價(jià)帶來(lái)的沖擊,全球存儲(chǔ)器龍頭三星逐漸強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù),希望有機(jī)會(huì)進(jìn)一步拉近與臺(tái)積電的差距。在先進(jìn)制程的發(fā)展方面,根據(jù)三星高層表示,將...

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臺(tái)積電預(yù)計(jì)到2019年底會(huì)有100多款客戶產(chǎn)品基于其7nm工藝

半導(dǎo)體工藝越來(lái)越復(fù)雜,不過(guò)憑借強(qiáng)大的實(shí)力、不斷的投入,再加上技術(shù)上的一些“偷懶”,臺(tái)積電還是相繼征服了10nm、7nm、5nm,其中7nm工藝已經(jīng)迅速普...

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英特爾確定的7納米制程會(huì)支援新一代EUV技術(shù)

隨著晶圓代工廠臺(tái)積電及記憶體廠三星電子的7納米邏輯制程均支援極紫外光(EUV)微影技術(shù),并會(huì)在2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段,半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定正在開(kāi)發(fā)中的...

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全球三大晶圓代工廠今年將導(dǎo)入極紫外光微影技術(shù) 家登EUV光罩盒將大出貨

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先進(jìn)制程微縮變得越來(lái)越困難 IC設(shè)計(jì)與品牌商同樣面對(duì)的成本高墻

晶圓代工廠商的先進(jìn)制程競(jìng)賽如火如荼來(lái)到7nm,但也有晶圓代工廠商就此打住,聯(lián)電將止于12nm制程研發(fā),GlobalFoundries宣告無(wú)限期停止7nm...

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臺(tái)積電2020年上半年7納米+制程進(jìn)入量產(chǎn)的消息獲得證實(shí)

雖然,全球晶圓代工頭臺(tái)積電在日前的 2018 年第 4 季法說(shuō)會(huì)中,拋出了 2019 年第 1 季營(yíng)收將季衰退 2 成的震撼彈,不過(guò),針對(duì)先進(jìn)制程的演進(jìn)...

2019-01-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電EUV 2298 0

Intel的7nm基于EUV光刻技術(shù)有望2020年底推出 10nm或?qū)⒊蔀镮ntel最短命的一代制程

原定2016年底量產(chǎn)的10nm拖到了2019年底,Intel目前僅敢在公開(kāi)市場(chǎng)拿出Cannon Lake家族的“獨(dú)苗”i3-8121U撐門(mén)面。可是它僅僅...

2018-12-07 標(biāo)簽:intelEUV 1443 0

半導(dǎo)體進(jìn)入周期性疲軟 行業(yè)急需技術(shù)創(chuàng)新

近日,半導(dǎo)體風(fēng)向球、芯片制造業(yè)舉足輕重的公司——應(yīng)用材料(AMAT)公布了截止2018年10月28日的2018 Q4財(cái)報(bào),盡管符合市場(chǎng)預(yù)期,但本季營(yíng)收卻...

2018-11-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體EUV 2862 0

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