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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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5G射頻PA的Load-line與Load-pull背后的知識(shí)

說到射頻PA（Power Amplifier，功率放大器）的設(shè)計(jì)和應(yīng)用，有兩個(gè)名詞經(jīng)常被大家提及：Load-line與Load-pull。

2023-07-05 標(biāo)簽：MOSFET 功率放大器晶體管 4084 0

while(1)到底占了多少CPU功耗呢？這些功耗去哪里了呢？

我們將CPU簡(jiǎn)單看作場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET的集合。這么多個(gè)FET隨著每一次的翻轉(zhuǎn)都在消耗者能量。

2023-06-29 標(biāo)簽：電源管理 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1946 0

什么是H橋？介紹H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

因?yàn)殡娐烽L(zhǎng)得像字母H而得名，通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開關(guān)元器件，例如下圖有四個(gè)MOSFET開關(guān)元器件Q1、Q2、Q3、Q4。

2023-06-18 標(biāo)簽：MOSFET 直流電機(jī)FET 1434 0

源極接地放大電路設(shè)計(jì)(2)

電壓電源V1由最大輸出電壓決定。例如為了得到Vpp=3V的輸出電壓，電源電壓必須在3V以上，否則輸出信號(hào)會(huì)失真（削波）。為了確保源極偏置電流，在R4上需...

2023-06-23 標(biāo)簽：放大電路電路設(shè)計(jì)輸出電壓 544 0

源極接地放大電路設(shè)計(jì)(1)

下圖是源極接地放大電路。分析它的直流點(diǎn)位是多少？此時(shí)交流信號(hào)是不存在的，即V2=0V。

2023-06-23 標(biāo)簽：MOSFET 放大電路接地 422 0

FET的分類和電路符號(hào)

下圖是N型FET的結(jié)構(gòu)圖，左邊是JFET,右邊是MOSFET。電流流過漏極和源極之間的部分稱為溝道。JFET的柵極和溝道之間有等效二極管（PN結(jié)），所以...

2023-06-23 標(biāo)簽：二極管 MOSFET JFET 6385 0

增大升壓轉(zhuǎn)換器的效用：以更低電壓驅(qū)動(dòng)更重負(fù)載

自舉這項(xiàng)技術(shù)適用于大部分升壓轉(zhuǎn)換器，可以在轉(zhuǎn)換器的電壓降低時(shí)保持驅(qū)動(dòng)重負(fù)載。許多便攜式設(shè)計(jì)要求升壓轉(zhuǎn)換器將低電池電壓轉(zhuǎn)換為更高電壓，但是，隨著電池電壓逐...

2023-06-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 FET 電池 920 0

遠(yuǎn)程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕...

2023-06-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子 FET 2312 0

MOS管基礎(chǔ)知識(shí)科普

半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因...

2023-06-14 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 半導(dǎo)體 624 0

全面認(rèn)識(shí)MOS管，一篇文章就夠了

今天勢(shì)必要來一篇文章，徹底掌握mos管！

2023-06-13 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 FET 2.0萬(wàn) 2

未來智能城市的動(dòng)力引擎：潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）

潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)...

2023-06-12 標(biāo)簽：FET 功率晶體管智能城市 1280 0

使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案

機(jī)械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題，并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。

2023-06-12 標(biāo)簽：MOSFET 斷路器 IGBT 812 0

使用開爾文連接提高SiC FET的開關(guān)效率

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會(huì)導(dǎo)致較高的電感。閱...

2023-06-12 標(biāo)簽：開關(guān)FET SiC 1154 0

什么是運(yùn)算放大器？

許多教材和參考指南將運(yùn)算放大器 (運(yùn)放)定義為可以執(zhí)行各種功能或操作(如放大、加法和減法)的專用集成電路(IC)。雖然我同意這個(gè)定義，但仍需注重芯片...

2023-06-10 標(biāo)簽：集成電路運(yùn)算放大器運(yùn)放 1074 0

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件，因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬...

2023-06-10 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 1031 0

如何用雙MOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)？

基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流，由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET 連接器負(fù)載開關(guān) 6246 0

干貨|這篇文章把MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)講透了

MOS管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明MOS管是為了克服FET中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以MO...

2023-06-05 標(biāo)簽：MOS管 NMOS FET 2419 0

晶體管的歷史發(fā)展、工作原理、種類及應(yīng)用

晶體管是一種非常重要的電子元件，它是電子器件中最基本的元件之一，也是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心之一。晶體管的出現(xiàn)，使得電子器件的體積減小、功耗降低、速度提高，進(jìn)...

2023-06-02 標(biāo)簽：電子元件晶體管 FET 5844 0

基本放大電路的靜態(tài)分析

電子學(xué)中的放大是指把微弱變化的信號(hào)“放大”為較大變化的信號(hào)，放大電路的核心元件是晶體三極管（BJT）或場(chǎng)效應(yīng)管（FET），我會(huì)在后續(xù)內(nèi)容中說明兩種元件的區(qū)別。

2023-06-01 標(biāo)簽：三極管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管 4852 0

MOS管知識(shí)點(diǎn)梳理

2023-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 1072 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
LT8705

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”

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