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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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引言:理想二極管和ORing控制器通過(guò)監(jiān)測(cè)外部FET提供反極性保護(hù),顯著降低功率損耗,并阻斷反向電流,每當(dāng)發(fā)生瞬態(tài)事件時(shí),控制器就會(huì)監(jiān)控和調(diào)整外部FET...
引言:電源開關(guān)提供從電源或地到負(fù)載的電氣連接,通過(guò)多個(gè)電源軌降低功率損耗,并保護(hù)子系統(tǒng)免受損壞。它還提供了增強(qiáng)的器件保護(hù),浪涌電流保護(hù),最小化占據(jù)PCB...
2023-10-21 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)電源開關(guān) 1424 0
引言:短路保護(hù)對(duì)于確保輸出電源的可靠性至關(guān)重要,短路故障可能會(huì)導(dǎo)致電源故障,甚至?xí)?dǎo)致系統(tǒng)損壞。短路保護(hù)最常見的實(shí)現(xiàn)方式是通過(guò)使用限流來(lái)控制輸出,因此了...
晶體管和FET給人的印象是具有信號(hào)放大的功能,即當(dāng)輸入信號(hào)通過(guò)晶體管或者FET后,輸出信號(hào)被直接放大。
2023-10-21 標(biāo)簽:二極管放大電路場(chǎng)效應(yīng)管 1878 0
D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封裝FET的直接替代品
Transphorm正在對(duì)三個(gè)650 V GaN FET進(jìn)行采樣,典型導(dǎo)通電阻為35 mΩ、50 mΩ和72 mΩ,采用TO無(wú)引線(TOLL)封裝。根據(jù)...
2023-10-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器封裝服務(wù)器 936 0
氮化鎵能實(shí)現(xiàn)多強(qiáng)大的性能
氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門話題,因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(EV)車載充電器和電動(dòng)汽車(EV)充電站等設(shè)計(jì)...
2023-10-13 標(biāo)簽:芯片驅(qū)動(dòng)器FET 967 0
為什么DC/DC轉(zhuǎn)換器比電壓穩(wěn)壓器效率高?
DC/DC轉(zhuǎn)換器之所以比電壓穩(wěn)壓器效率高,是因?yàn)榭刂戚敵鲭妷旱姆绞讲煌?/p>
2023-10-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器FET 1471 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、...
在本文中,我們將介紹噪聲和電源抑制比 (PSRR) 在低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器中的影響。讓我們簡(jiǎn)要討論一下什么是 LDO。
2023-09-26 標(biāo)簽:SoC設(shè)計(jì)FET電源抑制比 5552 0
國(guó)產(chǎn)電子保險(xiǎn)絲MX26631DL介紹
集成了過(guò)流過(guò)壓軟起動(dòng)保護(hù)的高邊開關(guān)MX26631DL介紹
2023-09-13 標(biāo)簽:封裝FET高邊開關(guān) 2417 0
可控硅(Thyristor,縮寫為SCR)和場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,縮寫為FET)是兩種常見的半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娮与?..
2023-09-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管可控硅 4402 0
Flash 分為 NAND flash和 NOR flash。均是使用浮柵場(chǎng)效應(yīng)管(FloatingGate FET) 作為基本存儲(chǔ)單元來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的,浮...
2023-09-09 標(biāo)簽:NAND場(chǎng)效應(yīng)管FlaSh 1.2萬(wàn) 0
源極跟隨器就是源極跟隨輸入信號(hào)(柵極電位)動(dòng)作的電路。它的輸出阻抗很低,可以用于電動(dòng)機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載/低阻抗負(fù)載的驅(qū)動(dòng),
2023-08-31 標(biāo)簽:電路分析跟隨器電動(dòng)機(jī) 3733 0
車規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(1)
規(guī)格書中會(huì)給出一顆元件的相關(guān)參數(shù)值和曲線。在設(shè)計(jì)初期選擇元件時(shí),通過(guò)這些參數(shù)可以評(píng)估某顆元件是否適合應(yīng)用在需要的電路中。在規(guī)格書中,一些參數(shù)的測(cè)試條件(...
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