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場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。
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晶閘管和場效應管的主要區別 晶閘管(SCR)和場效應管(FET)是電子元件中最為常見的兩種半導體器件。SCR是一種雙極型半導體器件,傳統應用在直流電路的...
Intel將在下半年發布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝,也就是之前的7nm,但是Intel認為它能達到4n...
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基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode(增強型)功率...
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Nexperia(安世半導體)推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
業內唯一可同時提供級聯型(cascade)和增強型(e-mode)氮化鎵器件的供應商。
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98%能效!PowerPAIR? 3x3FS封裝,30V對稱雙通道MOSFET
Vishay TrenchFET Gen V MOSFET? 節省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% 有助于...
Transphorm發布新的氮化鎵場效應管可靠性指標 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc...
各種電子器件一直顯示出作為生物傳感器的潛力。近年來,人們對用于葡萄糖傳感的先進技術進行了廣泛的研究,例如光學傳感、電化學傳感和微波傳感。
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