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標簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管,是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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臺積電宣布與旗下多個客戶聯手打造全球首款加速器專屬快取互聯一致性測試芯片
晶圓代工龍頭臺積電7納米制程再邁進一步,宣布與旗下客戶包括Xilinx(賽靈思)、ARM(安謀國際)、Cadence Design Systems(益華...
泛林集團:一家能夠相當程度地調動全球人力資源服務于中國客戶的公司
關于半導體產業對中國的重要性、中國要發展先進半導體產業的急切心情我們就不必多說了。半導體產業是一個資金和技術密集型產業。與過去相比,中國現在已經不再缺少...
中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝
中芯國際聯席CEO梁孟松透露,中芯國際將在2018年下半年量產28nm HKC+工藝,2019年上半年開始試產14nm FinFET工藝,并藉此進入AI...
臺積電宣布其7納米制程進入量產 并透露了5納米節點的首個時間表
持續同時朝多面向快速進展的晶圓代工大廠臺積電(TSMC),于美國硅谷舉行的年度技術研討會上宣布其7納米制程進入量產,并將有一個采用極紫外光微影(EUV)...
三星Exynos旗艦行動處理器將很快亮相 將采用7納米FinFET制程技術
就在華為麒麟 980、蘋果 A12 處理器之后,三星 Exynos 旗艦行動處理器也要朝 7 納米制程節點前進了。隨著 2019 年三星旗下的智能型手機...
Achronix完成其基于16nm FinFET+工藝的Speedcore eFPGA技術量產級測試芯片的驗證
要點: 術量產級測試芯片的驗證 Speedcore驗證芯片通過了嚴格的整套測試,同時所有功能已獲驗證 在所有的運行條件下,復雜...
中芯攬三星電子、臺積電技術猛將梁孟松 拼14納米FinFET要2019年量產
中芯國際延攬前三星電子(Samsung Electronics)、臺積電技術高層梁孟松后,首次于線上法說會中現“聲”說法,他表示非常看好中芯在產業中的機...
Mentor Calibre? nmPlatform 和 Analog FastSPICE? (AFS?) Platform 獲得 TSMC 12nm ...
美國加利福尼亞圣克拉拉,2017年9月20日 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務器系統處理器定制的量產14納米高性...
加利福尼亞,圣克拉拉(2017年6月14日)—— 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術,其40%的跨越式性能提升將滿足...
三星上周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經開發完成,未來爭取10納米產品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導體小編一起來了解一下相關內容吧。
中國半導體工藝落后國際大廠 談突破先了解FinFET和胡正明
日前,中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt硅化...
今年得獎者為美國加州大學柏克萊分校講座教授胡正明,他也曾是臺積電前技術長,主辦單位表示,胡研發的3D鰭式電晶體(FinFET),突破物理極限,使元件更小...
其中Exynos 8895M為高配版,CPU核心架構為貓鼬M2+A53,其中貓鼬M2最高主頻為2.5GHz,而A53主頻為1.7GHz,GPU為20核的...
2016-12-29 標簽:FinFET半導體工藝Exynos8895 1422 0
比利時微電子在2016國際電子元件會議中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環繞式閘極金屬氧化物半導體場效電晶體的CMOS集成電路,其關鍵技術在于雙功率金屬閘極...
據外媒報道,三星電子被指侵犯了與鰭式場效應晶體管(FinFET)制程工藝相關的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國科學技術院(KAIST)計劃對三星提起訴訟,指...
據外媒報道,三星電子被指侵犯了與鰭式場效應晶體管(FinFET)制程工藝相關的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國科學技術院(KAIST)計劃對三星提起訴訟,指...
據IEEE報道,來自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統硅表面上成功制作了環柵式晶體管,未來經過技術改進有可...
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