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據(jù)悉,近日,漢能砷化鎵(GaAs)技術(shù)再獲重大突破。據(jù)世界三大再生能源研究機(jī)構(gòu)之一的德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所(Fraunhofer ISE)認(rèn)證,...
2015年4月27日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)日前宣布推出一...
TriQuint推出新型高性能GaAs射頻驅(qū)動(dòng)放大器TQP7M9105
TriQuint半導(dǎo)體公司推出兩款采用新封裝的1W和2W砷化鎵 (GaAs) 射頻驅(qū)動(dòng)放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106
RFMD進(jìn)入中國十年:持續(xù)加大投入,積極往3G轉(zhuǎn)型
作為世界頂級(jí)的RF模塊供應(yīng)商,RFMD在十年前開始進(jìn)入中國并且當(dāng)時(shí)就開設(shè)了后道封裝測(cè)試工廠,這是為了給當(dāng)時(shí)的諾基亞的星網(wǎng)工業(yè)園做配套,正是這一機(jī)緣,他們...
利用GaAs PHEMT設(shè)計(jì)MMIC LNA
在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對(duì)于從噪聲中析出信號(hào)十分關(guān)鍵。控制系統(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù),包括過濾和低溫冷卻,但低噪聲放大器的良好性能,提供了一種被...
GaAs半導(dǎo)體元件市場(chǎng)規(guī)模2015年可達(dá)3.2億美元
全球砷化鎵(gallium arsenide,GaAs)半導(dǎo)體元件市場(chǎng),將由2011年的約2.05億美元規(guī)模,在2015年成長至3.20億美元。該市場(chǎng)主...
一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集
一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù) Abstract— 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū)...
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