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SiC上的GaN的主要優點是其導熱性優勢。SiC上的GaN的導熱性是Si上的GaN的三倍,允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...
集成驅動器可減小解決方案尺寸,實現功率密集型系統。同時,集成降壓/升壓轉換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩壓電源下...
技術文檔:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驅動器、保護和電流感應
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關模式電源應用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅動器集成...
5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數據速度新要求的連接所需的技術和基礎設施設計帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實現致密化——這意味著更多的基站——還需要...
在汽車、工業和逆變器應用中,對在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動汽車 (EV) 領域,通過提高電機驅動效率和加快電池充電速度,此類優化...
相信大家都清楚,輕載或空載狀態下,開關損耗在轉換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
基于GaN交錯式臨界導通模式圖騰柱功率因數校正的新型數字控制策略
論文《A Novel Digital Control Strategy for GaN-based Interleaving CrM Totem-pol...
充電器,已經成為每個人的生活必需品。充電器的結構是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時間,對消費電子企業和消費者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
在GaN快充問世的前兩年,許多人還處在觀望狀態,然而再經過兩年之后,GaN在快充上的應用已經愈發成熟,并席卷快充市場。GaN等第三代半導體的出現,為各相...
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