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標(biāo)簽 > gan
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什么是第三代半導(dǎo)體? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、...
2018年下半年機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域被密切關(guān)注的成果
希望研究者在發(fā)表論文的同時(shí)可以開(kāi)源自己的代碼實(shí)現(xiàn)。在過(guò)去 5 年的時(shí)間里,我們處理了60000 多篇機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域的論文,在這些論文中,只有 12% 的論...
2018-12-18 標(biāo)簽:GAN機(jī)器學(xué)習(xí)NLP 3806 0
近年來(lái),由于氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積,GaN已被RF工業(yè)大量采用。根據(jù)兩個(gè)主要應(yīng)用:電信基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防,推動(dòng)整個(gè)氮化鎵射頻...
理論性能遠(yuǎn)超SiC?GaN功率二極管的發(fā)展歷程
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)氮化鎵功率器件的大規(guī)模應(yīng)用,是從2018年開(kāi)始的。自手機(jī)快充功能在市場(chǎng)上迅速普及,經(jīng)過(guò)數(shù)年的發(fā)展,氮化鎵HEMT器件早已被...
GaN行業(yè)新標(biāo)桿:比業(yè)界最佳Si MOSFET效率高2%,兼容所有驅(qū)動(dòng)器
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)為了實(shí)現(xiàn)“雙碳”(“碳達(dá)峰”和“碳中和”)目標(biāo),全球主要國(guó)家和地區(qū)在環(huán)保法規(guī)上持續(xù)收緊,給消費(fèi)、汽車(chē)、工業(yè)和能源等重點(diǎn)領(lǐng)域...
2023-09-15 標(biāo)簽:氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 3777 0
賽微電子公司成功開(kāi)發(fā)出650 V系列GaN功率器件產(chǎn)品
近日,河南省鄭州市副市長(zhǎng)萬(wàn)正峰、副秘書(shū)長(zhǎng)、市商務(wù)局局長(zhǎng)李兵、市商務(wù)局副局長(zhǎng)吳安德等一行赴賽微電子考察,全面了解公司業(yè)務(wù)等各項(xiàng)情況,并就半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的發(fā)展前...
一本書(shū)來(lái)幫助你入門(mén)深度學(xué)習(xí)生成模型
這一事實(shí)并沒(méi)有真正公正地反映AGC的輝煌。由于摩爾定律,你可以選擇任何計(jì)算機(jī)器,也可以說(shuō)50年后,將會(huì)有一臺(tái)機(jī)器能夠比它的運(yùn)行速度快22?倍。
2019-08-02 標(biāo)簽:GaN深度學(xué)習(xí) 3738 0
ICLR 2019共接收1591篇投稿,創(chuàng)下歷年新高
我建議你們將會(huì)議視為一種“必須申請(qǐng)的免費(fèi)推廣機(jī)會(huì)”,它會(huì)對(duì)已經(jīng)很好的論文有幫助,但評(píng)分多少并沒(méi)有論文的實(shí)際影響那么重要。如果以后每個(gè)人都開(kāi)始使用你的re...
2018-11-08 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN強(qiáng)化學(xué)習(xí) 3718 0
GaN這種新型的半導(dǎo)體材料徹底引爆了全球功率器件的革新
GaN為何這么火?究其原因還是在于功率密度的提升,在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率,從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能。提升功率密度的四個(gè)重要方面包括:降低損...
2020-11-02 標(biāo)簽:GaN工業(yè)4.0工業(yè)互聯(lián)網(wǎng) 3708 0
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數(shù)據(jù)中心、逆變器和工業(yè)開(kāi)關(guān)電源的實(shí)現(xiàn)超高效率
采用新型熱阻 增強(qiáng)封裝的 P2 系列表現(xiàn)出超高的電氣性能,支持具有挑戰(zhàn)性的高功率應(yīng)用,堅(jiān)固可靠 英國(guó)劍橋 - 無(wú)晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司 Cambrid...
2024-06-11 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源逆變器GaN 3698 0
諾格向美國(guó)海軍陸戰(zhàn)隊(duì)交付首個(gè)GaN G/ATOR系統(tǒng)
諾格公司表示,已向美國(guó)海軍陸戰(zhàn)隊(duì)(USMC)交付了首架AN/TPS-80地面/空中任務(wù)導(dǎo)向雷達(dá)(G/ATOR),其中采用了先進(jìn)的高功率和高效氮化鎵(Ga...
前言 氮化鎵技術(shù)在消費(fèi)類(lèi)電源領(lǐng)域的大規(guī)模商用,帶來(lái)了電源配件產(chǎn)品功率密度的一次大提升。借助GaN功率器件高頻、高效的特性,體積小巧、更加便攜的高密度快充...
項(xiàng)目作者介紹,生成器是經(jīng)過(guò)頻譜歸一化和自注意機(jī)制預(yù)訓(xùn)練的 UNET,也借鑒了 Jason Antic 的 DeOldify 項(xiàng)目,從而獲得有關(guān)面部特征的...
背? 景 表面缺陷檢測(cè)在工業(yè)生產(chǎn)中起著非常重要的作用,基于機(jī)器視覺(jué)的表面缺陷檢測(cè)可以極大的提升工業(yè)生產(chǎn)的效率。隨著近年來(lái)深度學(xué)習(xí)在計(jì)算機(jī)視覺(jué)領(lǐng)域的發(fā)展,...
基于模型的GAN PA設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):GAN晶體管S參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
基于模型的 GAN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):GAN 晶體管 S 參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
生長(zhǎng)在c面生長(zhǎng)表面上的c面氮化鎵基半導(dǎo)體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng),這降低了輻射復(fù)合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象,正在進(jìn)行對(duì)非極性或半極性氮化鎵...
隨著氮化鎵GaN市場(chǎng)的火爆,有很多做充電器的工廠在尋找氮化鎵充電器方案;市面上雖然已有多款氮化鎵充電器在銷(xiāo)售,但是提供GaN方案設(shè)計(jì)的廠商確不多,并且存...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用,其實(shí)也只有六七年的歷史,從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號(hào)角。目前,從晶體管來(lái)看,功率...
2024-02-28 標(biāo)簽:GaN 3597 0
氮化鎵IC如何影響電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)?
為有效提升電動(dòng)車(chē)整體功率并減少車(chē)體重量,采用新一代功率半導(dǎo)體可說(shuō)是勢(shì)在必行,氮化鎵便應(yīng)運(yùn)而生;透過(guò)氮化鎵IC,未來(lái)的電動(dòng)汽車(chē)將更快、更小、具更佳的性能,...
2018-08-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)GaN 3570 0
5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場(chǎng)
來(lái)源:RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡(jiǎn)稱(chēng)功放)芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長(zhǎng),成為各家射頻公司爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。 在...
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