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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動為可靠驅(qū)動絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當驅(qū)動信號與功率器件不需要隔離時,驅(qū)動電路的設(shè)計是比較簡單的,目前也有了許多優(yōu)...
IGBT關(guān)斷時,集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
上半年COVID-19疫情的爆發(fā),給IT設(shè)備領(lǐng)域創(chuàng)造了新的行業(yè)熱點,但對交通出行行業(yè)造成了重創(chuàng)。從中國汽車工業(yè)協(xié)會(CAAM)的數(shù)據(jù)來看,今年一季度,乘...
浩寶推出IGBT功率半導體無空洞、高可靠真空焊接設(shè)備
隨著全球新能源的發(fā)展,功率半導體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)三相全橋整流電路的原理是基于IGBT的開關(guān)特性,將三相交流電轉(zhuǎn)換為直流電。...
H橋(全橋)驅(qū)動器在驅(qū)動有刷直流電機等負載方面非常流行,并且已廣泛用于機器人技術(shù)和工業(yè)中。使用H橋驅(qū)動器的主要優(yōu)點是效率高,旋轉(zhuǎn)方向變化和制動電動機。
2021-05-20 標簽:驅(qū)動器IGBTMOSFET驅(qū)動器 8618 0
開關(guān)IGBT T1時,主電流將從續(xù)流二極管D1換向到IGBT。由于二極管電流衰減產(chǎn)生的電流變化率diC2 /dt在LσE2上產(chǎn)生感應電壓,并使T2的發(fā)射...
瞬態(tài)過電流IGBT在運行過程中所承受的大幅值過電流除短路、直通等故障外,還有續(xù)流二極管的反向恢復電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)擊穿短路的原因是一個復雜且多元的問題,涉及多個因素相互作用。以下是對IGBT擊穿短路原因的詳細分析,旨在達到1000字的要求。
逆變電路中IGBT安全操作注意事項,IGBT的主要特性參數(shù)
對于過壓保護采取的措施為:門極和發(fā)射極之間并聯(lián)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管Vz3和Vz4;門極和發(fā)射極之間加門極發(fā)射極電阻R6;加阻容吸收電路,由D6、R14和...
大功率IGBT驅(qū)動的技術(shù)特點及發(fā)展趨勢分析
由于igbt具有開關(guān)頻率高、導通功耗小及門極控制方便等特點,在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應用。在igbt應用中,除其本身的技術(shù)水平以外,另一個要考慮的重...
屈興國告訴半導體行業(yè)觀察記者,東芝IEGT單管目前可以實現(xiàn)4.5KV和3KA的功率,再加上簡易的串聯(lián)實施,這些產(chǎn)品完美匹配中國柔性直流輸電、直流電網(wǎng)發(fā)展...
基于IGBT的緩沖電路怎樣選擇電容?電容大小不同導線該如何選擇?
在諧振電容選擇前,應首先確定IGBT 驅(qū)動的負載電流IGmax的最大值、外施電源V的最大值以及要求的開關(guān)管電壓上升時間Tr。因緩沖電容Cl、C2配合充放...
因為最近工作中比較多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設(shè)計的相關(guān)要點,當然只是從我們比較關(guān)心的幾點出發(fā),概括性地來說一說。而沒有深入到物理...
2019-01-01 標簽:IGBT 8319 0
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