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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

IGBT驅(qū)動設(shè)計:揭秘門極電壓選擇的奧秘

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絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)優(yōu)點的功率半導(dǎo)體器件,因其具有低開關(guān)損...

2024-04-10 標簽:電壓IGBT回流焊 4705 0

車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對比

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功率型芯片于控制單元中主要負責(zé)具有高功率負載的控制電路,是可實現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車...

2024-04-09 標簽:傳感器MOSFETIGBT 4395 0

IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別?

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三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進行三層摻雜,其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜,含有少數(shù)空穴,上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...

2024-04-09 標簽:三極管MOS管發(fā)射機 1.8萬 0

一文詳解IGBT 模塊的熱設(shè)計和熱管理

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其中模塊的鋁鍵合引線與芯片的鍵合點較小,芯片工作中產(chǎn)生的熱量主要通過熱傳導(dǎo)的方式由芯片向基板單向傳遞,在此過程中會遇到一定的阻力,稱為導(dǎo)熱熱阻。

2024-04-07 標簽:芯片IGBT熱管理 6705 0

ROHM BM6337x/BM6357x系列如何解決開發(fā)背景中出現(xiàn)的各種問題呢?

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BM6337x/BM6357x系列最重要的亮點是同時實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的降噪性能和低損耗性能。

2024-04-03 標簽:熱敏電阻變頻器IGBT 1502 0

IGBT模塊封裝過程中的技術(shù)詳解

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IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運行過程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過程中對基板上形成開裂,造成基板的裂紋;第三是對...

2024-04-02 標簽:MOSFETIGBT晶體管 1494 0

IGBT模塊賦能馬達驅(qū)動應(yīng)用

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近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...

2024-04-01 標簽:變頻器IGBT熱仿真 552 0

電源管理芯片怎么測好壞電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)

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電源管理芯片(PMIC)是在單片芯片內(nèi)包括多種電源軌和電源管理功能的集成電路,主要功用為在存在多個電源的情況下,選取、分配電力給主系統(tǒng)各部分使用。

2024-03-29 標簽:MOSFETIGBT晶體管 3695 0

IGBT模塊封裝過程中的技術(shù)詳解

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IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的 IGBT 模塊...

2024-03-27 標簽:場效應(yīng)管IGBT晶體管 2206 0

IGBT驅(qū)動電路的隔離方式與作用

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關(guān)于IGBT模塊的散熱設(shè)計

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由于IGBT模塊自身有一定的功耗,IGBT模塊本身會發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下,功率器件存在一定的溫升(即殼溫與環(huán)境溫度的差異)。

2024-03-22 標簽:散熱器IGBT功率器件 3.4萬 0

淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識

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電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。

2024-03-21 標簽:新能源汽車IGBT電機控制器 2645 0

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并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源功率控制方式有三種:整流移相調(diào)壓調(diào)功、直流斬波調(diào)功、逆變PWM調(diào)功。

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Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時,漂移層會變厚,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。

2024-03-19 標簽:二極管IGBTMOS 8927 0

SiC驅(qū)動電源設(shè)計要點(變壓器部分)

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在設(shè)計SiC(碳化硅)驅(qū)動電源時,需要考慮以下幾個關(guān)鍵要點:

2024-03-18 標簽:IGBTSiC驅(qū)動電源 2557 0

IGBT什么意思?一文詳細解讀IGBT工作原理

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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),變頻器的核心部件

2024-03-18 標簽:變頻器IGBT晶體管 4.1萬 0

igbt導(dǎo)通條件和關(guān)斷條件

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變頻器igbt工作原理和作用

IGBT的開關(guān)速度指的是從導(dǎo)通到截止(或反之)所需的時間。快速的開關(guān)速度有助于減少功率損耗和提高效率,但過快的開關(guān)速度可能會增加電壓和電流的瞬態(tài)壓降,導(dǎo)...

2024-03-18 標簽:變頻器PWMIGBT 5288 0

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及功率范圍

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IGBT 有三個端子(集電極、發(fā)射極和柵極)都附有金屬層。然而,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。

2024-03-18 標簽:新能源汽車IGBT晶體管 2627 0

探究IGBT開關(guān)過程及其驅(qū)動設(shè)計的關(guān)鍵因素

探究IGBT開關(guān)過程及其驅(qū)動設(shè)計的關(guān)鍵因素

IGBT在二極管鉗位感性負載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路,評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。

2024-03-15 標簽:二極管電流MOSFET 3886 0

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  • TMS320F28335
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jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462 jf_33800983

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時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調(diào)制器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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