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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲變化趨勢(1)
現(xiàn)在我們把時間變量圖片加入,進行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓,IGBT內(nèi)部存儲的電荷開始衰減,衰減過程是因為載流子壽命有限而自然復(fù)合
800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益
汽車電動化趨勢正在不斷加快。過去兩年,受疫情和芯片短缺影響,全球汽車市場整體表現(xiàn)不佳,但新能源車卻一枝獨秀,延續(xù)這幾年的強勁增長勢頭,2021年實現(xiàn)銷量...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源領(lǐng)域。在高頻電源中,IGBT具有許多重要作用,以下是對這些作用的分析: 高效率:IG...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu),因為陽極和陰極的多子濃度遠大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
面對高度競爭化的混合動力車和電動汽車(HEV/EV)市場,動力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和可靠性挑戰(zhàn)。 功率逆變器 在動力集成系統(tǒng)中至關(guān)...
但嚴(yán)格定義上講,根據(jù)進精電動招股說明書,電驅(qū)動系統(tǒng)包括三大總成:驅(qū)動電機總成(將動力電池的電能轉(zhuǎn)化為旋轉(zhuǎn)的機械能,是輸出動力的來源)、控制器總成(基于功...
由變頻驅(qū)動的電機,電機是不能直接從電源側(cè)獲取能量的,變頻器不同于開關(guān)、接觸器,一旦接通,電機就能從工頻下啟動并運行,變頻器由整流、濾波、逆變環(huán)節(jié),它的能...
在討論了48伏特架構(gòu)(“48伏特輕度混合動力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應(yīng)用(“48伏特起動發(fā)電機”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...
碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用介紹
與傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)相比,碳化硅(SiC)技術(shù)具有更多優(yōu)勢
求一種電動車的800v高壓快充架構(gòu)技術(shù)方案
縮短充電時間是目前提升電動車使用體驗的關(guān)鍵。當(dāng)補貼力度越來越弱,推力漸小,加速電動汽車產(chǎn)業(yè)化的解決方案要回歸到本質(zhì)上
自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來,IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費和工業(yè)用途的電動汽車和電動機的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(2)
上一章講到了IGBT的飽和電流,與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系,這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計,大...
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