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LMG1020 器件是一款單路低側(cè)驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動高速應用中的 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括激光雷達、飛行時間、面部識別以及任何涉及低側(cè)驅(qū)動器的電源轉(zhuǎn)換器。

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TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

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LMG1020 器件是一款單路低側(cè)驅(qū)動器，設計用于驅(qū)動高速應用中的 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括激光雷達、飛行時間、面部識別以及任何涉及低側(cè)驅(qū)動器的電源轉(zhuǎn)換器。LMG1020 的設計簡單性可實現(xiàn) 2.5 納秒的極快傳播延遲和 1 納秒的最小脈沖寬度。通過分別在柵極與 OUTH 和 OUTL 之間連接外部電阻器，驅(qū)動強度可獨立調(diào)整為上拉和下拉邊沿。

該驅(qū)動器在過載或故障情況下具有欠壓鎖定 (UVLO) 和過熱保護 (OTP)。

LMG1020 的 0.8mm × 1.2mm WCSP 封裝可最大限度地減少柵極環(huán)路電感并最大限度地提高高頻應用中的功率密度。

lmg1020百科

該驅(qū)動器在過載或故障情況下具有欠壓鎖定 (UVLO) 和過熱保護 (OTP)。

LMG1020 的 0.8mm × 1.2mm WCSP 封裝可最大限度地減少柵極環(huán)路電感并最大限度地提高高頻應用中的功率密度。

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TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN）近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）驅(qū)動器，進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領先的GaN電源產(chǎn)品...

2018-03-12 標簽：dc/dc 德州儀器氮化鎵 1.1萬 0

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