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標(biāo)簽 > mocvd
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。
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氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤點(diǎn)
同為第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵時(shí)常被人用來與碳化硅作比較,雖然沒有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久,但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...
固態(tài)升華法(Sublimation) 固態(tài)前驅(qū)體在加熱容器中被加熱至其升華點(diǎn),從固態(tài)直接轉(zhuǎn)化為氣態(tài)。升華后的前驅(qū)體以氣態(tài)形式通過載氣輸送到反應(yīng)室即可...
一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應(yīng),在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學(xué)、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...
第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備,如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單...
通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法(MOCVD)生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN,n-GaN,量子阱,p-GaN。
誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料?這種材料的特性是什么?
氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
什么是Micro-LED?Micro-LED的顯示原理是什么?
Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode,中文稱作微發(fā)光二極體,也可以寫作μLED
2023-02-06 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)電路MOCVD 4.7萬 0
BluGlass通過RPCVD技術(shù)減少GaN膜生長雜質(zhì)
澳大利亞的BluGlass公司聲稱使用他們的低溫遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積(RPCVD)技術(shù)可以產(chǎn)生理想純度的氮化鎵(GaN)。該公司說,他們的RPCVD...
天龍光電首臺(tái)MOCVD設(shè)備的交貨進(jìn)展一直備受業(yè)內(nèi)關(guān)注。公司將在這個(gè)月底發(fā)貨給客戶,并將于下個(gè)月在用戶端開始設(shè)備安裝、調(diào)試。
隨著LED照明市場的起飛,加上中國政府大力推行節(jié)能補(bǔ)助,帶動(dòng)陸廠大舉擴(kuò)增LED上游晶粒產(chǎn)能,自2011年起陸廠約新增420臺(tái)MOCVD機(jī)臺(tái),總機(jī)數(shù)達(dá)72...
2012-07-04 標(biāo)簽:LED照明LED產(chǎn)業(yè)MOCVD 903 0
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