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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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示波器,作為電子工程師和科學(xué)家的基本工具之一,廣泛應(yīng)用于電子信號的測量和分析中。在涉及多個通道波形時間相關(guān)參數(shù)的測量中,如功率MOS管的雙脈沖測試,相位...
室內(nèi)濕度過低時,干燥的空氣容易奪走人體的水分,使皮膚干燥、鼻腔粘膜受到刺激,誘發(fā)呼吸系統(tǒng)病癥。因此我們迫切需要一個優(yōu)秀的加濕器方案,來幫助大家對抗干燥,...
2024-05-17 標(biāo)簽:MOS管RGBPCB設(shè)計 655 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是現(xiàn)代電...
在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨特的工作原理、結(jié)構(gòu)...
此時它的發(fā)熱功率最大,隨后迅速降低直到完全導(dǎo)通,功率變成了100*100*0.003=30w,假設(shè)這個MOS管的內(nèi)阻是3毫歐姆,那這個開關(guān)過程的發(fā)熱功率...
交流380V輔助電源主要應(yīng)用于對電源容量、穩(wěn)定性、可靠性要求較高的工業(yè)、商業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。
2024-04-29 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管漏電流 1015 0
熱插拔一般對電子系統(tǒng)有兩方面影響:1.熱插拔時,連接器的機械觸點在接觸瞬間會出現(xiàn)彈跳,引起電源振蕩;2.熱插拔時,由于系統(tǒng)大容量儲能電容的充電效應(yīng),系統(tǒng)...
關(guān)于同步整流芯片參數(shù)適配的經(jīng)驗
更換同步整流控制IC后啟機效率明顯降低,首先從同步整流工作異常開始著手測量。如圖1所示,在同步整流驅(qū)動波形測量的同時用熱成像儀測量同步整流MOS管的溫度...
2024-04-26 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管熱成像儀 1636 0
在實際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個軟啟動的作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 2601 0
電路設(shè)計時,不同的子系統(tǒng)之間無可避免的需要數(shù)字信號傳遞,不同的系統(tǒng)之間或者設(shè)備之間,數(shù)字接口電平經(jīng)常不一致,故需要用到電平轉(zhuǎn)換電路;
開漏(open-drain)或開集電極(open-collector)輸出引腳由單個晶體管驅(qū)動,將引腳拉到只有一個電壓(通常是接地)。當(dāng)輸出設(shè)備關(guān)閉時,...
熟悉電子電路設(shè)計的朋友一定都知道,在電源整體設(shè)計中存在一些發(fā)熱非常嚴重的器件,如整流橋、MOS管、快恢復(fù)二極管這些器件。
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