mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)詳解（圖文+案例）

當(dāng) VGS < VTH時(shí)，mos管工作在截止區(qū)域。在該區(qū)域中，mos管處于關(guān)斷狀態(tài)，因?yàn)樵诼O和源極之間沒有感應(yīng)溝道。

2022-11-16 標(biāo)簽：開關(guān)電路電路設(shè)計(jì)MOS管 9090 0

什么是功率開關(guān)管開關(guān)管的工作原理

根據(jù)MOS管，三極管的性質(zhì)可知，通過對它們工作電壓的改變可以使它們分別用來放大信號，用來做開關(guān)，而MOS管，三極管同時(shí)也有大功率和小功率的各種類型管子，...

2023-02-10 標(biāo)簽：三極管 MOS管功率開關(guān)管 9057 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)工作原理及問題總結(jié)

mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。

2018-12-31 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路 9037 0

一文理解BUCK電路的降壓原理

　前段時(shí)間講過了BOOST電路，現(xiàn)在該輪到講BUCK電路了。

2022-11-08 標(biāo)簽：二極管 MOS管 buck電路 9006 0

RCD吸收電路EMI影響與參數(shù)調(diào)整影響分析

當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，能量存儲(chǔ)在初級繞組的電感與漏感中，變壓器初級繞組電壓為上正下負(fù)，RCD吸收二極管陽極近似接地，RCD吸收二管反向截止。

2024-01-08 標(biāo)簽：變壓器 RCD吸收電路二極管 8988 0

大功率鋰電池組BMS(電池管理系統(tǒng))保護(hù)板電路介紹

電池管理系統(tǒng)(BMS)是電力巡檢機(jī)器人、電動(dòng)汽車、大型無人遙控車等系統(tǒng)的中一個(gè)越來越重要的關(guān)鍵部分,我國在這方面的研究正在逐步加強(qiáng)。現(xiàn)有的設(shè)計(jì)方法是采...

2023-04-12 標(biāo)簽：MOS管運(yùn)放電池管理系統(tǒng) 8986 0

集成運(yùn)算放大電路的組成和傳輸特性

今天開始，繼續(xù)總結(jié)模擬電子技術(shù)典型電路的仿真。

2023-06-15 標(biāo)簽：集成電路 MOS管模擬電子 8980 0

芯片的內(nèi)部線路圖如何設(shè)計(jì)

作為一名硬件工程師，自然經(jīng)常與各種芯片打交道，可能有的同學(xué)對芯片的內(nèi)部并不是很了解，不少同學(xué)在應(yīng)用新的芯片時(shí)直接翻到Datasheet的應(yīng)用頁面，按照推...

2022-08-29 標(biāo)簽：芯片 pcb IC設(shè)計(jì) 8966 0

經(jīng)典電源保護(hù)電子電路設(shè)計(jì)精華盤點(diǎn) —電路圖天天讀（199）

本文著重介紹了電源中保護(hù)電路設(shè)計(jì)過程，利用場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻作為檢測電阻，監(jiān)視它的電壓降，當(dāng)電壓降超過設(shè)定值時(shí)就停止放電。在一般的情況下，電路中一般還加...

2015-07-09 標(biāo)簽：保護(hù)電路電源管理 MOS管 8941 2

分享一些單片機(jī)硬件電路的設(shè)計(jì)方案和心得

將不確定的信號通過一個(gè)電阻鉗位在高電平，維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài)。

2022-07-06 標(biāo)簽：單片機(jī)運(yùn)算放大器 MOS管 8892 1

基于SG3525的推挽電路仿真設(shè)計(jì)

光伏逆變器前級往往需要先升壓，再進(jìn)行逆變。低壓通過高頻升壓的主要目的是減小逆變器體積、提高功率密度、減小損耗，提高效率。但高頻同樣也面臨諸多問題，如電磁...

2023-07-13 標(biāo)簽：MOS管推挽電路光伏逆變器 8889 1

搞懂MOS管的米勒效應(yīng)

通過了解MOS管的的開關(guān)過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。

2023-07-21 標(biāo)簽：MOS管 MOS 米勒電容 8876 0

盤點(diǎn)場效應(yīng)管在電路中應(yīng)用

場效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。MOS管基礎(chǔ)請移步:MOS場效應(yīng)管基本知識。

2022-11-30 標(biāo)簽：MOSFET 場效應(yīng)管 MOS管 8870 0

淺談電源適配器的四大優(yōu)點(diǎn)以及三大注意事項(xiàng)

關(guān)于電源適配器，在我們生活中各種電器都有著應(yīng)用，這是一個(gè)能為電子電器以及隨身電子設(shè)備提供電壓變換的設(shè)施，它能做到將家中的220伏的高電壓轉(zhuǎn)換成一般電子產(chǎn)...

2018-11-09 標(biāo)簽：電源 MOS管電源適配器 8845 0

氮化鎵mos管的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些

氮化鎵（GaN）MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。它具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性，下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點(diǎn)和局限性。優(yōu)...

2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOS管 8828 0

增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理

通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極之間就形成電容，當(dāng)柵極與源極之間電壓變化時(shí)，將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少，從而控制漏極電流大小。

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 MOS 8796 0

MOS管和反相器的輸出特性曲線講解

CCS，con_current source即復(fù)合電流源模型，比NLDM（none lineal delay model即非線性模型）更進(jìn)一步，這個(gè)模型...

2023-07-28 標(biāo)簽：MOS管 NMOS 反相器 8792 0

在PDK中是如何定義Vth的呢？

以N管為例（P管類似），當(dāng)Vg逐漸升高，p襯底中的空穴被向下的電場趕離柵區(qū)留下負(fù)離子以鏡像柵上的電荷。

2023-10-31 標(biāo)簽：MOS管晶體管靜態(tài)電流 8748 0

Boost電路的輸入電容該如何去計(jì)算呢？

在boost電路的工作過程中，輸入電容隨著Boost電源不斷的進(jìn)行充電和放電，當(dāng)mos打開時(shí)，電流突然增大，輸入電容輔助提供電流，處于放電狀態(tài)，當(dāng)mos...

2023-08-14 標(biāo)簽：MOS管 ESR 電解電容 8721 0

MOS管常見與不常見的相關(guān)知識整理

MOS管是屬于絕緣柵場效應(yīng)管，柵極是無直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產(chǎn)生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。

2018-10-09 標(biāo)簽：萬用表 MOS管 8719 0

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