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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管開關(guān)電路設(shè)計(jì)詳解(圖文+案例)
當(dāng) VGS < VTH時(shí),mos管工作在截止區(qū)域。在該區(qū)域中,mos管處于關(guān)斷狀態(tài),因?yàn)樵诼O和源極之間沒有感應(yīng)溝道。
2022-11-16 標(biāo)簽:開關(guān)電路電路設(shè)計(jì)MOS管 9090 0
根據(jù)MOS管,三極管的性質(zhì)可知,通過對它們工作電壓的改變可以使它們分別用來放大信號,用來做開關(guān),而MOS管,三極管同時(shí)也有大功率和小功率的各種類型管子,...
2023-02-10 標(biāo)簽:三極管MOS管功率開關(guān)管 9057 0
MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)工作原理及問題總結(jié)
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
2018-12-31 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路 9037 0
RCD吸收電路EMI影響與參數(shù)調(diào)整影響分析
當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí),能量存儲(chǔ)在初級繞組的電感與漏感中,變壓器初級繞組電壓為上正下負(fù),RCD吸收二極管陽極近似接地,RCD吸收二管反向截止。
大功率鋰電池組BMS(電池管理系統(tǒng))保護(hù)板電路介紹
電池管理系統(tǒng)(BMS)是電力巡檢機(jī)器人、電動(dòng)汽車、大型無人遙控車等系統(tǒng)的中一個(gè)越來越重要的關(guān)鍵部分,我國在這方面的研究正在逐步加強(qiáng)。 現(xiàn)有的設(shè)計(jì)方法是采...
2023-04-12 標(biāo)簽:MOS管運(yùn)放電池管理系統(tǒng) 8986 0
作為一名硬件工程師,自然經(jīng)常與各種芯片打交道,可能有的同學(xué)對芯片的內(nèi)部并不是很了解,不少同學(xué)在應(yīng)用新的芯片時(shí)直接翻到Datasheet的應(yīng)用頁面,按照推...
2022-08-29 標(biāo)簽:芯片pcbIC設(shè)計(jì) 8966 0
經(jīng)典電源保護(hù)電子電路設(shè)計(jì)精華盤點(diǎn) —電路圖天天讀(199)
本文著重介紹了電源中保護(hù)電路設(shè)計(jì)過程,利用場效應(yīng)管的導(dǎo)通電阻作為檢測電阻,監(jiān)視它的電壓降,當(dāng)電壓降超過設(shè)定值時(shí)就停止放電。在一般的情況下,電路中一般還加...
分享一些單片機(jī)硬件電路的設(shè)計(jì)方案和心得
將不確定的信號通過一個(gè)電阻鉗位在高電平,維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài)。
2022-07-06 標(biāo)簽:單片機(jī)運(yùn)算放大器MOS管 8892 1
盤點(diǎn)場效應(yīng)管在電路中應(yīng)用
場效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管,并用于模擬和數(shù)字電路。MOS管基礎(chǔ)請移步:MOS場效應(yīng)管基本知識。
2022-11-30 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 8870 0
淺談電源適配器的四大優(yōu)點(diǎn)以及三大注意事項(xiàng)
關(guān)于電源適配器,在我們生活中各種電器都有著應(yīng)用,這是一個(gè)能為電子電器以及隨身電子設(shè)備提供電壓變換的設(shè)施,它能做到將家中的220伏的高電壓轉(zhuǎn)換成一般電子產(chǎn)...
氮化鎵(GaN)MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。它具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性,下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點(diǎn)和局限性。 優(yōu)...
2024-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 8828 0
增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理
通常將柵極與襯底連接在一起,這樣襯底與柵極之間就形成電容,當(dāng)柵極與源極之間電壓變化時(shí),將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少,從而控制漏極電流大小。
在boost電路的工作過程中,輸入電容隨著Boost電源不斷的進(jìn)行充電和放電,當(dāng)mos打開時(shí),電流突然增大,輸入電容輔助提供電流,處于放電狀態(tài),當(dāng)mos...
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