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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
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在充電市場中，PD電源以其產品的特點優勢正在不斷的蠶食傳統的電源適配器的營銷份額，尤其是在手機端跟電腦端更為明顯。對于PD電源廠家該如何持續的提升自身產品力呢？
電池管理系統（BMS）作為儲能行業的中樞產品之一，電子工程師一定要關注385A、100V參數的mos管。畢竟該參數的MOS管是經常有使用在電池管理系統中...
當前的新能源車的模塊系統由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發展比較成熟的產品，國內外的模塊廠商已經開發了很多，但是有一個模塊需...
標準CMOS工藝：就是在同一塊襯底上集成NMOS和PMOS,比如在一塊p襯底可以先做一個nmos然后再做一個N阱，再在N阱中摻入p+區形成PMOS。
根軌跡分析法是通用分析方法，不是具體的補償操作方法，下面介紹的極點分裂法是一種具體的電路操作方法
我們在使用精密運放放大微弱信號時，往往需要穩定的高增益和極低的等效輸入噪聲，這時選擇的運放未必能滿足要求，那這么辦？
IGBT在結構上是NPN行MOSFET增加一個P結，即NPNP結構，在原理上是MOS推動的P型BJT。
二極管正向導通時，電子存儲在P區，空穴存儲在N區，此現象叫做電荷存儲效應。外加反向電壓時，電子和空穴分別往相反方向移動，形成反向漂移電流，同時與其他多數...
并聯是元件之間的一種連接方式，其特點是將2個同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯電路。
根據響應載荷的變化來調制晶體管基極或MOS管柵極的偏置基準來實現晶體管或MOS導通時間的改變，從而實現開關穩壓電源輸出的改變，調節LED亮度
走線寬度計算 使用計算出的電流、走線電阻和電壓降值，使用在線走線寬度計算器或考慮 PCB 銅厚度和材料的 PCB 設計軟件來計算所需的走線寬度。
DC-DC的反饋電阻，串聯分壓后給芯片內部的誤差放大器做運算，控制輸出電壓的大小，以達到穩定輸出的目的。
MOS管，全稱為金屬-氧化物-半導體場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體-半導體，是一種常見的半導體器件。根據其工作電壓的不同，MOS管主要可分為高壓...
最近在公司做電動車控制器壞機解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機子。在以前的工作中雖然對MOS有一些應用，但是其中的工作原理還沒有仔細的學習過，希望能通...
在變頻器輔助電源或光伏逆變器中，輔助電源的主要作用是將DC高壓降壓后，為驅動IC、主控MCU、通訊模塊芯片等供電。以380V系統的變頻器為例，因輔助電源...
基于TPS61099設計升壓電路，TPS61099外圍需要電感和電容來儲能和放能，需要兩個電阻來設定輸出電壓，需要一個邏輯信號來使能或關斷。
IGBT是變頻器的核心部件，自然要分外關注。 在實際應用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實物圖+電路符號圖...
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