mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

FHL385N1F1A MOS管的具體產(chǎn)品參數(shù)

在充電市場(chǎng)中，PD電源以其產(chǎn)品的特點(diǎn)優(yōu)勢(shì)正在不斷的蠶食傳統(tǒng)的電源適配器的營(yíng)銷(xiāo)份額，尤其是在手機(jī)端跟電腦端更為明顯。對(duì)于PD電源廠家該如何持續(xù)的提升自身產(chǎn)品力呢？

2023-10-20 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 753 0

FHL385N1F1A場(chǎng)效應(yīng)管在電池管理系統(tǒng)的應(yīng)用

電池管理系統(tǒng)（BMS）作為儲(chǔ)能行業(yè)的中樞產(chǎn)品之一，電子工程師一定要關(guān)注385A、100V參數(shù)的mos管。畢竟該參數(shù)的MOS管是經(jīng)常有使用在電池管理系統(tǒng)中...

2023-10-20 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管電池管理系統(tǒng) 736 0

IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)

當(dāng)前的新能源車(chē)的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機(jī)等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多，但是有一個(gè)模塊需...

2023-10-19 標(biāo)簽：芯片 MOS管 IGBT 4177 0

MOS器件物理基礎(chǔ)知識(shí)

標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝：就是在同一塊襯底上集成NMOS和PMOS,比如在一塊p襯底可以先做一個(gè)nmos然后再做一個(gè)N阱，再在N阱中摻入p+區(qū)形成PMOS。

2023-10-18 標(biāo)簽：CMOS MOS管 NMOS 6753 0

共源MOS放大器的CGD分布電容—極點(diǎn)裂變的效果

根軌跡分析法是通用分析方法，不是具體的補(bǔ)償操作方法，下面介紹的極點(diǎn)分裂法是一種具體的電路操作方法

2023-10-18 標(biāo)簽：放大器 MOS管等效電路 1589 0

如何提高現(xiàn)有運(yùn)放的噪聲性能呢？

我們?cè)谑褂镁苓\(yùn)放放大微弱信號(hào)時(shí)，往往需要穩(wěn)定的高增益和極低的等效輸入噪聲，這時(shí)選擇的運(yùn)放未必能滿足要求，那這么辦？

2023-10-18 標(biāo)簽：MOS管 JFET 斬波運(yùn)放 1108 0

IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT。

2023-10-18 標(biāo)簽：可控硅晶閘管 MOS管 1.5萬(wàn) 0

二極管反向恢復(fù)電流輻射發(fā)射問(wèn)題分析調(diào)試與解決方案

二極管正向?qū)〞r(shí)，電子存儲(chǔ)在P區(qū)，空穴存儲(chǔ)在N區(qū)，此現(xiàn)象叫做電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。外加反向電壓時(shí)，電子和空穴分別往相反方向移動(dòng)，形成反向漂移電流，同時(shí)與其他多數(shù)...

2023-10-18 標(biāo)簽：二極管 MOS管 buck電路 5411 0

MOS管并聯(lián)工作原理和注意事項(xiàng) MOS管并聯(lián)方法電路圖

并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點(diǎn)是將2個(gè)同類(lèi)或不同類(lèi)的元件、器件等首首相接，同時(shí)尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來(lái)指電路中電子元件的連接方式，即并聯(lián)電路。

2023-10-18 標(biāo)簽：串聯(lián)并聯(lián)電路圖 7977 0

LED模擬調(diào)光 VS 數(shù)字調(diào)的區(qū)別是什么

根據(jù)響應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置基準(zhǔn)來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變，調(diào)節(jié)LED亮度

2023-10-17 標(biāo)簽：led MOS管晶體管 1708 0

PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)之DC-DC轉(zhuǎn)換器

走線寬度計(jì)算使用計(jì)算出的電流、走線電阻和電壓降值，使用在線走線寬度計(jì)算器或考慮 PCB 銅厚度和材料的 PCB 設(shè)計(jì)軟件來(lái)計(jì)算所需的走線寬度。

2023-10-17 標(biāo)簽：電阻 pcb 轉(zhuǎn)換器 1044 0

電阻的十大作用，你知道幾種

DC-DC的反饋電阻，串聯(lián)分壓后給芯片內(nèi)部的誤差放大器做運(yùn)算，控制輸出電壓的大小，以達(dá)到穩(wěn)定輸出的目的。

2023-10-17 標(biāo)簽：MOS管比較器誤差放大器 2259 0

高壓MOS管和低壓MOS管的區(qū)別

　　MOS管，全稱(chēng)為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體，是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其工作電壓的不同，MOS管主要可分為高壓...

2023-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝 MOS管 7358 0

12V電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

單MOS管驅(qū)動(dòng)電路，采用P75NF75為主構(gòu)成。

2023-10-16 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管電機(jī) 1584 0

MOS學(xué)習(xí)筆記—驅(qū)動(dòng)電阻參數(shù)計(jì)算

在簡(jiǎn)單的了解MOS管的基本原理以及相關(guān)參數(shù)后，如何在實(shí)際的電路中運(yùn)用是我們努力的方向。

2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET MOS管寄生電容 5190 0

MOS學(xué)習(xí)筆記-模型及工作原理

最近在公司做電動(dòng)車(chē)控制器壞機(jī)解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機(jī)子。在以前的工作中雖然對(duì)MOS有一些應(yīng)用，但是其中的工作原理還沒(méi)有仔細(xì)的學(xué)習(xí)過(guò)，希望能通...

2023-10-16 標(biāo)簽：放大電路 MOS管 NMOS 1497 0

新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

在變頻器輔助電源或光伏逆變器中，輔助電源的主要作用是將DC高壓降壓后，為驅(qū)動(dòng)IC、主控MCU、通訊模塊芯片等供電。以380V系統(tǒng)的變頻器為例，因輔助電源...

2023-10-16 標(biāo)簽：mcu 變頻器 MOS管 2178 0

MOS驅(qū)動(dòng)振蕩模型及開(kāi)關(guān)暫態(tài)分析

下圖是一款DCDC電源初樣，測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)上電，或帶大載時(shí)出現(xiàn)炸機(jī)，示波器測(cè)試驅(qū)動(dòng)IC輸入端

2023-10-16 標(biāo)簽：示波器 MOS管反激電源 2483 0

BUCK與BOOST電路設(shè)計(jì)與器件選型基礎(chǔ)

基于TPS61099設(shè)計(jì)升壓電路，TPS61099外圍需要電感和電容來(lái)儲(chǔ)能和放能，需要兩個(gè)電阻來(lái)設(shè)定輸出電壓，需要一個(gè)邏輯信號(hào)來(lái)使能或關(guān)斷。

2023-10-16 標(biāo)簽：升壓電路電路設(shè)計(jì)MOS管 3883 0

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理

IGBT是變頻器的核心部件，自然要分外關(guān)注。在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖...

2023-10-16 標(biāo)簽：MOS管 IGBT 晶體管 2455 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類(lèi)：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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功率放大器（英文名稱(chēng)：power amplifier），簡(jiǎn)稱(chēng)“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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LED臺(tái)燈就是以LED即發(fā)光二極管為光源的臺(tái)燈，LED是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。其使用的LED照明技術(shù)是第三代照明技術(shù)。LED臺(tái)燈使用產(chǎn)生的藍(lán)光會(huì)對(duì)眼睛造成傷害，但也有一系列優(yōu)點(diǎn)。
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　　全橋整流電路是把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路，整流電路的作用是將交流降壓電路輸出的電壓較低的交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，能夠輸出比輸入交流電壓更高的直流電壓，但這種電路輸出電流的能力較差，所以具有高電壓，小電流的輸出特性。
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電流檢測(cè)放大器通過(guò)測(cè)量電流通道上電阻的壓降檢測(cè)電流的放大器，電流檢測(cè)放大器輸出與被測(cè)電流成正比的電壓或電流。可以把電流檢測(cè)放大器可看成一個(gè)輸入級(jí)浮置的儀表/差分放大器。
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行程開(kāi)關(guān)，位置開(kāi)關(guān)（又稱(chēng)限位開(kāi)關(guān)）的一種，是一種常用的小電流主令電器。利用生產(chǎn)機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件的碰撞使其觸頭動(dòng)作來(lái)實(shí)現(xiàn)接通或分?jǐn)嗫刂齐娐罚_(dá)到一定的控制目的。通常，這類(lèi)開(kāi)關(guān)被用來(lái)限制機(jī)械運(yùn)動(dòng)的位置或行程，使運(yùn)動(dòng)機(jī)械按一定位置或行程自動(dòng)停止、反向運(yùn)動(dòng)、變速運(yùn)動(dòng)或自動(dòng)往返運(yùn)動(dòng)等。
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單相電路里的兩根供電電線，一根叫火線（學(xué)名相線），另一根則叫零線（學(xué)名中性線）。火線和零線的區(qū)別在于它們對(duì)地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來(lái)，由于兩者之間的電壓等于220伏，而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零，這時(shí)的電流非常大，在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量，從而發(fā)出電火花，火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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