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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導(dǎo)通的過渡過程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導(dǎo)通到截止的過渡過程)、截止?fàn)顟B(tài)。MOS主要損耗也對應(yīng)這幾個狀...
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
現(xiàn)在電源模塊的體積越來越小,功率密度也越來越高,并且模塊的工作環(huán)境也愈發(fā)惡劣,其高低溫設(shè)計、熱設(shè)計以及應(yīng)力問題逐漸引起了各位工程師的重視。
電路需要增加5V過壓保護(hù)功能。剛開始,我是用穩(wěn)壓二極管組合三極管,MOS管設(shè)計的電路,結(jié)果功能實(shí)現(xiàn)不了,電壓到了10V都沒有保護(hù)。
如圖所示MOS管驅(qū)動電路,定性分析可知,當(dāng)MOS管關(guān)斷時,MOS管兩端應(yīng)力為Vds,此時Vds向Cgd和Cgs充電,可能導(dǎo)致Vgs達(dá)到Vgs(th)導(dǎo)致...
在傳統(tǒng)的風(fēng)力發(fā)電中,由于風(fēng)力的不穩(wěn)定性,因此直接產(chǎn)生的電壓不穩(wěn)定,不能直接被利用,需要進(jìn)一步的穩(wěn)壓,儲能,轉(zhuǎn)化才能實(shí)現(xiàn)正常的使用。
2023-01-13 標(biāo)簽:MOS管風(fēng)力發(fā)電逆變電路 3840 0
在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前,需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗,輸出阻抗和電壓增益的推導(dǎo)過程。
2023-03-26 標(biāo)簽:MOS管LNA拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 3822 0
我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì),MOS管用于高頻高速電路,大電流場合,以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
自舉電路也叫升壓電路,是利用自舉升壓二極管,自舉升壓電容等電子元件,使電容放電電壓和電源電壓疊加,從而使電壓升高,有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。
2023-06-01 標(biāo)簽:二極管升壓電路場效應(yīng)管 3804 0
電力MOSFET都是通過增加N-漂移區(qū)的厚度來提高工作電壓,但由此也帶來通態(tài)電阻的增大,當(dāng)電流比較大時,管壓降和損耗會明顯加大,因此MOSFET特別適合...
把紅表筆接到MOS管的源極S;把黑表筆接到MOS管的漏極D,此時表針指示應(yīng)該為無窮大,如圖5-3所示。如果有歐姆指數(shù),說明被測管有漏電現(xiàn)象,此管不能用。
MOS管因為其導(dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
2023-05-12 標(biāo)簽:開關(guān)電源電路設(shè)計MOS管 3755 0
理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中,當(dāng)晶體管關(guān)閉的時候DS之間不應(yīng)該存在任何的電流。但是,現(xiàn)實(shí)中MOS卻存在各種不同的漏電流。漏電流一方...
傳統(tǒng)Boost PFC和無橋PFC的工作原理及狀態(tài)
由于無橋PFC拓?fù)渲饕獮樘岣咝剩ㄊ〉袅苏鳂蚣捌鋼p耗),但相對傳統(tǒng)Boost PFC,在成本(所用MOS管和快速二極管多一倍)、控制(相對復(fù)雜)和EM...
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