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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在硬件設(shè)計(jì)中,關(guān)于電路保護(hù)的部分是保證系統(tǒng)可靠性的重要一環(huán),電路保護(hù)的設(shè)計(jì)具體也包括很多方面,比如:防反設(shè)計(jì),過流保護(hù),過壓保護(hù),欠壓保護(hù),過熱保護(hù)等,...
短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同,主要原因是速度飽和效應(yīng)。 載流子的速度正比于電場,遷移率是一個(gè)常數(shù),當(dāng)溝道電場達(dá)到某一臨界...
如何區(qū)分MOS管,“電路符號”和“實(shí)物”介紹
讓我們來看看MOS管,分辨一下他們怎么區(qū)別,怎么用吧。而且,我們不談原理,只談應(yīng)用。我們分“電路符號”和“實(shí)物”兩部分來看。
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。 一般認(rèn)為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動(dòng)的,不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極...
三相逆變橋設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)
三相逆變橋設(shè)計(jì)主要:柵極電阻、MOS管下拉電阻、MOS管、檢流電阻、反電動(dòng)勢分壓電阻以及濾波電容; 關(guān)鍵點(diǎn)是MOS管和檢流電阻
芯片設(shè)計(jì)進(jìn)階之路—從CMOS到建立時(shí)間和保持時(shí)間
建立時(shí)間(setup time)和保持時(shí)間(hold time)是時(shí)序分析中最重要的概念之一,深入理解建立時(shí)間和保持時(shí)間是進(jìn)行時(shí)序分析的基礎(chǔ)。
DDR3相較于DDR2有哪些特點(diǎn)?其設(shè)計(jì)規(guī)范有哪些?
存儲(chǔ)器一般來說可以分為內(nèi)部存儲(chǔ)器(內(nèi)存),外部存儲(chǔ)器(外存),緩沖存儲(chǔ)器(緩存)以及閃存這幾個(gè)大類。內(nèi)存也稱為主存儲(chǔ)器,位于系統(tǒng)主機(jī)板上,可以同CPU直...
只要是電子產(chǎn)品就需要供電,就離不開電源,那什么是電源:小到手表中的電子,遙控器的電源,大到220V家庭用電,都可以看做是電源。然而在我們的電路設(shè)計(jì)中,會(huì)...
2023-09-19 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管電感 2371 0
MOS管怎么用?從認(rèn)識米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手
要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
工程師在使用TT9930樣機(jī)時(shí)發(fā)現(xiàn),樣機(jī)正常老化時(shí),突然沒有輸出。經(jīng)過排查后,懷疑MOS故障,本文將分享解決思路和要點(diǎn)。
SiLM94112開路保護(hù)的應(yīng)用筆記分享
本文主要闡述了多路半橋驅(qū)動(dòng) SiLM94112 驅(qū)動(dòng)芯片應(yīng)用中,輸出負(fù)載開路保護(hù)功能的應(yīng)用方法及其注意事項(xiàng)。
我們在研發(fā)產(chǎn)品時(shí),我們?yōu)榱吮WC產(chǎn)品的可靠性,我們會(huì)設(shè)計(jì)電源防反電路;這是為了防止電源錯(cuò)插,插反導(dǎo)致主板燒毀;為了防止這種情況的發(fā)生,我們在源頭增加了這一道程序。
我們普通人做菜,一般都是大雜燴,同樣的食材,大廚會(huì)根據(jù)食材本身的特點(diǎn),做出好吃又好看的美味佳肴。同樣道理,我們繪制電路圖時(shí)也要根據(jù)元件特征,繪制出具有美...
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