mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

三極管和MOS管的異常現(xiàn)象與根本原因分析

板在環(huán)境試驗低溫存儲后（機框下電，-40°存儲24h，恢復(fù)到常溫25°，在25°條件下保持2h）上電，發(fā)現(xiàn)有4塊單板未正常啟動。監(jiān)控單板電源，發(fā)現(xiàn)所有問...

2022-07-04 標(biāo)簽：三極管 MOS管 SOT23 5865 0

為什么MOS管柵極串聯(lián)電阻越小越好

在一周前看到在公眾號“電機控制設(shè)計加油站”的一篇推文，“Why 100Ω？較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結(jié)論背后不簡單的問題”，對MOSFET管柵極為什么放置“一...

2022-07-01 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻 MOS管仿真電路 8580 0

設(shè)計驅(qū)動電路該使用MOS管還是三極管？（文末領(lǐng)BJT和MOSFET對比資料）

晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關(guān)應(yīng)用。然而，它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 雙極結(jié)型晶體管，通常稱為 BJT...

2022-06-22 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 3018 0

基于語音芯片的汽車?yán)染瘓笃髟O(shè)計

貨車等大型車輛作為現(xiàn)今資源運輸?shù)闹匾ぞ咧唬谧非筮\輸量提高的同時也帶來了諸多的安全隱患，體積大導(dǎo)致出現(xiàn)了越來越多的視線盲區(qū)，質(zhì)量大導(dǎo)致慣性加大，從而...

2022-06-10 標(biāo)簽：MOS管語音芯片警報器 995 0

基于IR2127的電機驅(qū)動芯片

到VB端的電壓小于VS+12V，導(dǎo)致芯片老是檢測到硬件過流信號，從而不能正常驅(qū)動MOS管，后將VCC電壓提升到13.5V后，驅(qū)動芯片才正常。

2022-06-08 標(biāo)簽：二極管 MOS管 6751 1

MOS管和三極管到底有什么區(qū)別

第一個區(qū)別也就是最重要的一個區(qū)別就是MOS管是電壓控制的元件，而三極管是電流控制的元件。那么怎么理解這兩句話呢？

2022-06-01 標(biāo)簽：三極管 MOS管 4.3萬 0

MOS管的結(jié)構(gòu)與latchup的形成原因

一般Fabless公司設(shè)計的芯片在工程批回來之后，都會做芯片級的ESD測試和latchup等測試，對很多客戶朋友來說，有可能對latchup稍微陌生，本...

2022-05-20 標(biāo)簽：ESD MOS管 latchup 5782 0

MOS管引起靜電擊穿的原因及解決方法

其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷...

2022-05-16 標(biāo)簽：MOS管靜電擊穿 6835 0

一文詳解MOS管的技術(shù)參數(shù)

在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)...

2022-04-27 標(biāo)簽：MOSFET MOS管額定電壓 5090 0

限流恒流電路設(shè)計方案

上圖是一個限流恒流電路，當(dāng)電流低于閾值時，輸出電流由負(fù)載決定，當(dāng)負(fù)載加重，輸出電流達(dá)到閾值時，輸出電流穩(wěn)定在閾值保持恒定，負(fù)載再加重的話，輸出電流也保持...

2022-04-27 標(biāo)簽：電流 MOS管恒流電路 1.3萬 0

MOS管和IGBT管的區(qū)別

在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，...

2022-04-24 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 IGBT管 1.2萬 0

如何選用低成本MOS管搭建開關(guān)電路

　這就是基于瑞納捷半導(dǎo)體的RJGT101D6加密芯片設(shè)計的兩線加密煙彈方案，方案在不改變傳統(tǒng)煙彈外觀的情況下，做到了簡單、低成本、易于實施的設(shè)計目標(biāo)，可...

2022-04-22 標(biāo)簽：開關(guān)電路 MOS管瑞納捷半導(dǎo)體 5679 0

MOSFET中米勒平臺形成的基本原理及詳細(xì)過程

MOSFET的柵極驅(qū)動過程，可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOSFE...

2022-04-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管米勒平臺 4.1萬 1

MOS管損壞的五大主要原因

MOS是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為MOS內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個內(nèi)阻大小基本決定了...

2022-04-14 標(biāo)簽：控制器 MOS管損壞 2.2萬 0

詳解過流保護(hù)電路原理以及構(gòu)成

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2022-04-14 標(biāo)簽：保護(hù)電路 MOS管運放 2.0萬 2

三極管和MOS管的基本特性與應(yīng)用

1 三極管和MOS管的基本特性三極管是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極管和PNP型三極管兩種，符號如下：

2022-04-13 標(biāo)簽：三極管 MOS管驅(qū)動電路 8547 0

MOS管并聯(lián)的問題以及解決方案

在驅(qū)動一些較大電流的負(fù)載時，有時候由于單個MOS管的通流能力有限，很多人喜歡把幾個MOS管并聯(lián)起來，從而實現(xiàn)更大電流負(fù)載的開關(guān)，這種應(yīng)用也比較廣泛了，但...

2022-04-13 標(biāo)簽：并聯(lián)電流 MOS管 3.2萬 0

MOS管驅(qū)動電路功率損耗的計算方法

詳解MOS驅(qū)動電路功率損耗的構(gòu)成以及計算方法

2022-04-13 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動電路功率損耗 2.9萬 1

四種常用的防反接電路詳解

對于平常日用的一些產(chǎn)品，產(chǎn)品在進(jìn)行設(shè)計時就會考慮這個問題，客戶只是簡單的利用插頭進(jìn)行電源的連接，所以一般采用防插錯接頭，這是種簡單，低價而有效的方法。

2022-04-13 標(biāo)簽：二極管 MOS管防反接電路 2.6萬 1

詳解用于MOS管驅(qū)動的電容自舉電路工作原理以及器件選型

2022-04-12 標(biāo)簽：電容升壓電路 MOS管 3.9萬 2

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