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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET關(guān)斷條件是什么 mosfet管關(guān)斷過(guò)程的分析
MOSFET,也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀
如果有足夠的時(shí)間,大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師,您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個(gè)部分的行為?是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條...
在本文中,我將分享關(guān)于MOSFET中幾個(gè)關(guān)鍵溫度參數(shù)的計(jì)算方法:TJ(結(jié)溫)、TA(環(huán)境溫度)和TC(外殼溫度)。 1. MOSFET溫度參數(shù)的重要性 ...
IGBT的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)述 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用及基本特點(diǎn)
IGBT,中文名稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和...
半導(dǎo)體世界可能會(huì)有一個(gè)新的參與者,它以氧化鎵技術(shù)的形式出現(xiàn)。
2018-11-20 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體 5394 0
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類及工作原理
1 歷史 1947年威廉.肖克利與他人共同發(fā)明了晶體管,屬于雙極型晶體管(Bipolarjunction Transistor)。此外,晶體管還有另外一...
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 5394 0
反激CCM模式的開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗詳解
電源設(shè)計(jì)工程師在選用 Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí),大多直接以 Power MOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初...
隨著汽車電子系統(tǒng)中電流水平的持續(xù)增加,由于存在高功耗和散熱問(wèn)題,設(shè)計(jì)師因而不再能使用傳統(tǒng)的隔離肖特基二極管。LT8672 是一款具反向電流保護(hù)功能的有源...
電氣接口的離散輸出H橋驅(qū)動(dòng)的詳細(xì)資料概述
h橋驅(qū)動(dòng)。除了表B61中給出的h橋驅(qū)動(dòng)器的規(guī)范之外,還必須指定表B62中的參數(shù)。
2018-07-01 標(biāo)簽:MOSFET保護(hù)元件H橋驅(qū)動(dòng) 5359 0
MOSFET箝位電路的工作原理及應(yīng)用設(shè)計(jì)
輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低,使用一個(gè)控制器就能提供多路輸出跟蹤,因此受到設(shè)計(jì)師們的青睞,且已成為元件...
異步電路與同步電路的區(qū)別,異步和同步拓?fù)涞膬?yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
如果高M(jìn)OSFET與低MOSFET同步,我們可以在一些應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)它們被稱為直接開(kāi)關(guān)管,即高端和低側(cè)MOSFET。
MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/分類/應(yīng)用
MOS管是一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,也稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。它是一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)中各種電路...
瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)?SiC專用驅(qū)動(dòng)支持多領(lǐng)域高效應(yīng)用(下)
比鄰驅(qū)動(dòng)?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片,具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
2023-07-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 5348 0
準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的峰值功率能力及如何處理峰值功率要求
然而,某些應(yīng)用并非從電源汲取恒定功率。例如,當(dāng)打印機(jī)的打印頭處于工作狀態(tài)或處理打印紙時(shí),打印機(jī)以脈沖方式消耗功率。在此特殊案例中,轉(zhuǎn)換器的散熱設(shè)計(jì)并非針...
2021-03-12 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 5347 0
低Vth加濕器MOS管解決方案與設(shè)計(jì)電路圖 100V耐壓MOS管 N溝道
惠海半導(dǎo)體中低壓場(chǎng)效率管(MOSFET) MOS管型號(hào):HC160N10LS 絲印:HC510 參數(shù):100V5A(5N10) 內(nèi)阻:145mR(VGS...
2021-01-19 標(biāo)簽:電路圖MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 5341 3
電流模式PWM控制驅(qū)動(dòng)U6201電源開(kāi)關(guān)芯片介紹
隨著經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展以及人們生活節(jié)奏的不斷加快,人們?cè)絹?lái)越重視身心健康。工作一天之后,而用按摩椅進(jìn)行保健,令你血液循環(huán)通暢,改善腰酸背痛及預(yù)防病癥,還能提...
2020-08-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)MOSFET開(kāi)關(guān)電源 5341 0
這種類型的放大器只有一部分信號(hào)周期內(nèi)的輸出晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),通常用于需要高效率但可以容忍較高失真的應(yīng)用,例如射頻傳輸。
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...
2023-03-03 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 5325 0
基于MOSFET搭建簡(jiǎn)易的電平轉(zhuǎn)換電路
在電子產(chǎn)品中,不同芯片的供電電壓不同,導(dǎo)致某些芯片之間的通信信號(hào)電平不同,無(wú)法直接相互連接。例如高通8155的IO是1.8V電壓域,而瑞薩RH850的I...
通過(guò)傅里葉函數(shù)方法分析電源模塊輸出端紋波
電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)日益輕薄,使得電源模塊亦須提升切換頻率以縮小體積。藉由傅里葉級(jí)數(shù)頻域分析,研發(fā)人員將可掌握切換式降壓轉(zhuǎn)換器電源模塊輸出端漣波變化量,從而搭配...
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