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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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薩科微slkor半導(dǎo)體的高速低側(cè)柵極驅(qū)動器SL27511介紹
電機作為工業(yè)生產(chǎn)的一種重要設(shè)備,為了能夠滿足不同應(yīng)用場景需求,對電機的控制要求也不斷的提高。
生成任意幅度的偏置電流網(wǎng)絡(luò) - 第二部分
那么,關(guān)于等式1可以說些什么呢?首先,對于最小值比率為 1,相應(yīng)的 MRN 比率也將是 1,正如預(yù)期的那樣。其次,對于 MIN 大于 1 的值,請注意,...
生成任意幅度的偏置電流網(wǎng)絡(luò) - 第一部分
最終,MOSFET、VS 和 RSET 電阻的源電壓決定了每個磁路的灌電流;通過移除外水槽支腿的反饋(即,對于所有 N > 1),VSN ...
MOSFET開關(guān):電源變換器基礎(chǔ)知識及應(yīng)用
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號。MOSF...
保持直流/直流解決方案簡單易用,適用于成本敏感型應(yīng)用
由于稱為引線框上倒裝芯片(FCOL)的封裝技術(shù)的最新進(jìn)展,TI現(xiàn)在可以制造無引線鍵合的直流/直流轉(zhuǎn)換器。芯片通過銅凸塊直接連接到引線框架,這降低了MOS...
2023-04-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET揚聲器 977 0
低電壓、高電流降壓型μModule穩(wěn)壓器可獨立完成電源設(shè)計
LTM4604 和 LTM4608 LTC μModule 開關(guān)穩(wěn)壓器能夠以最小的工作量創(chuàng)建高密度設(shè)計。兩款器件均為高密度電源,適用于 ≤5.5V 輸入...
使用MOSFET IRFP240和IRFP9240的功率放大器電路
該功率放大器使用電路中所示的MOSFET IRFP240和IRFP9240。該放大器工作在 +45 / -45 VDC,可在 8 歐姆揚聲器上提供 10...
IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
2MHz開關(guān)頻率條件下工作時的第一個也是最重要的考慮因素是轉(zhuǎn)換器的最小接通時間。在降壓轉(zhuǎn)換器中,當(dāng)高側(cè)MOSFET導(dǎo)通時,它在關(guān)閉前必須保持最小的導(dǎo)通時...
2023-04-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETPCB 1372 0
安森美碳化硅芯片的設(shè)計進(jìn)展及技術(shù)分析
減小了電場集中效應(yīng),提高了SiC器件的擊穿電壓,SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關(guān)單元有關(guān),同時和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。
近期ChatGPT持續(xù)更新?lián)Q代,其背后也帶動算力需求提升,從而帶動AI服務(wù)器需求量上漲,而AI服務(wù)器核心依托高性能芯片,因此芯片板塊近期連續(xù)6個工作日收漲。
USB On-the-Go(OTG)是使設(shè)備能夠充當(dāng)主設(shè)備或從設(shè)備的規(guī)范。USB OTG可廣泛應(yīng)用于PC、智能手機、ePOS(電子銷售點)和移動電源。主...
作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強度較大; 干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相...
雷卯電子leiditech高功率TVS 二極管可防止反激浪涌損壞MOSFET 或繼電器觸點開關(guān),而MOSFET 或繼電器觸點開關(guān)可能在短路斷開時發(fā)生。
相比于傳統(tǒng)的電磁式繼電器,下圖尺寸作為參考,實際應(yīng)用中與工作電壓電流等導(dǎo)致其尺寸大小會有所區(qū)別。
2023-04-06 標(biāo)簽:MOSFET可控硅固態(tài)繼電器 1939 0
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