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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產(chǎn)品相關(guān)的信息和數(shù)據(jù)。另外,包括MOSFET在內(nèi)的SiC功率元...
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIGBT 1053 0
AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹
內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-優(yōu)點篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 734 0
第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-...
內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ的主要規(guī)格和功能
重點必看內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-規(guī)格篇-使采用了SiC MOSFET的...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 798 0
SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較
近年來超級結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)的MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,ROHM已經(jīng)開...
繼前篇結(jié)束的SiC-SBD之后,本篇進入SiC-MOSFET相關(guān)的內(nèi)容介紹。功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一...
對于線性穩(wěn)壓器,壓差(VIN - VOUT) 在維持調(diào)節(jié)的最小輸入電壓下測量。低壓差意味著更長的電池壽命,因為負(fù)載電路繼續(xù)工作,而電池放電到較低的端電壓...
在電壓達(dá)到某個最小值之前,通常需要防止將電源電壓施加到負(fù)載上。圖1所示電路由兩個緊湊型SOT23封裝組成,當(dāng)電源電壓低于預(yù)設(shè)門限時,通過阻斷電源電壓(標(biāo)...
將多個數(shù)字和模擬功能組合到單個芯片中的高度集成的系統(tǒng)芯片通常需要多個電源。電源排序不當(dāng)會導(dǎo)致器件閂鎖、器件啟動不正確或長期可靠性下降。MAX6819/M...
如何提高汽車動力總成中電磁閥和致動器應(yīng)用的可靠性
所有拓?fù)涠际褂谩胺逯岛捅3帧备拍睿词紫仁褂幂^高(峰值)電流來激活機械電磁閥,然后降低電流(保持)以保持機械運動。第一個選項是升壓拓?fù)洌瑢㈦姵仉妷荷?...
電機控制和轉(zhuǎn)換效率對汽車應(yīng)用至關(guān)重要
對于越來越多的汽車應(yīng)用來說,電源轉(zhuǎn)換和電機控制應(yīng)用的效率是一項始終需要關(guān)注的設(shè)計規(guī)范要求。現(xiàn)代內(nèi)燃機汽車越來越多地使用低壓三相電機控制系統(tǒng),包括燃油泵、...
IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線/選型/應(yīng)用
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
考慮到功率MOSFET的廣泛應(yīng)用范圍,很明顯,這種趨勢在越來越多的應(yīng)用中得到了體現(xiàn)。對于許多設(shè)計而言,這意味著僅僅選擇具有合適FOM的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET無...
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