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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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納微GeneSiC碳化硅器件在電動長途卡車的應(yīng)用詳解
4月10日,在武漢舉辦的2024年世界碳化硅大會獲得圓滿成功,在大會上,諸多碳化硅產(chǎn)業(yè)的專業(yè)人員分享了這個行業(yè)目前的進展以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的研究進度。
飛兆半導(dǎo)體小體積低導(dǎo)通阻抗單一P溝道PowerTrench MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器...
2012-03-01 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET 724 0
描述 NP3403VR采用先進的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM...
微源半導(dǎo)體推出650V半橋柵極驅(qū)動芯片LPD2106
LPD2106是一款高耐壓的半橋柵極驅(qū)動芯片,具有0.3A拉電流和1.0A灌電流能力,專用于驅(qū)動N溝道MOSFET或IGBT組成的半橋。LPD2106集...
描述 NP3403MR采用先進壕溝 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM應(yīng)...
TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片 概述 TDM3478使用先進的溝槽技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)...
推動SiCMOSFET國產(chǎn)化,華秋獲“芯塔電子”優(yōu)秀媒體合作伙伴獎
隨著新能源市場的爆發(fā),電動汽車,光伏、儲能等下游應(yīng)用驅(qū)動下,碳化硅功率器件迎來了新一輪增長期。特別是電動汽車上SiCMOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后,在近幾年...
安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏得頭籌
安森美同時宣布其壓鑄模功率集成模塊(TM-PIM)獲EE Awards Asia的功率IC產(chǎn)品類獎項,同時公司以其先進的汽車方案和智能電源產(chǎn)品獲得最孚眾...
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
MOSFET是具備比雙極晶體管更快的開關(guān)速度和更低損耗的元器件,被廣泛用于汽車電子、電源電路和電機驅(qū)動電路等領(lǐng)域。未來隨著以ADAS為代表的汽車電子技術(shù)...
在開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色的NextPower 100V MOSFET
在許多開關(guān)應(yīng)用中,設(shè)計人員面臨著平衡高效率和低尖峰電壓的挑戰(zhàn),要達到該平衡,最顯而易見的方法是在電路板上使用額外的元器件,但這會增加成本和復(fù)雜性。
2024-05-23 標(biāo)簽:MOSFETdcdc轉(zhuǎn)換器 710 0
描述 NP3403VR采用先進的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進行充電和操作 2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM...
仁懋電子MOS產(chǎn)品戶外照明儲能方案應(yīng)用
隨著社會進步和科技的發(fā)展,戶外照明領(lǐng)域也在不斷演進。仁懋電子作為電子元器件領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商,其MOSFET產(chǎn)品正以其卓越的性能和創(chuàng)新的應(yīng)用,為戶外照明帶來...
利用智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能
利用智能MOSFET驅(qū)動器提升數(shù)字控制電源性能 在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號,以便以最快的
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用,具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率器件、電源管理IC和功率模組三大類。圖:功率半導(dǎo)體產(chǎn)...
2022-11-18 標(biāo)簽:MOSFET 704 0
碳化硅功率器件優(yōu)勢增強功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)!
影響下一代功率半導(dǎo)體器件發(fā)展和實施的三個主要因素:對持續(xù)改進功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的監(jiān)管要求;市場需要更輕、更小、更具成本效益的系統(tǒng),具有更集成的功能和新興應(yīng)...
歐姆龍繼電器_G3VM MOS FET小型化歐姆龍繼電器的優(yōu)勢
隨著科技的發(fā)展,產(chǎn)品體積小型化 產(chǎn)品質(zhì)量輕型化,越來越受大家重視,那么轉(zhuǎn)型勢在必行。 接下來為大家介紹一款小型化的MOSFET歐姆龍繼電器,它的輸出元件...
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