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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案

在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporatio...

2014-12-23 標(biāo)簽：SATA NAND SSD 1170 0

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式...

2014-05-04 標(biāo)簽：東芝閃存 NAND 1484 0

新一代存儲器？十年后再說吧！

　很少人會想到 NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線上、即將被某種新技術(shù)取代，筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關(guān)于快...

2014-04-11 標(biāo)簽：NAND 存儲器 V-NAND 2865 0

云儲存崛起　移動設(shè)備NAND存儲器萎縮加劇

NAND Flash存儲器在移動設(shè)備應(yīng)用市場的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計(jì)資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲存服務(wù)影響，第三季智能手機(jī)與平板設(shè)...

2013-11-26 標(biāo)簽：NAND 存儲器云儲存 1455 0

NAND Flash合約價(jià)恐走跌本季仍供過于求

SK海力士火災(zāi)移轉(zhuǎn)產(chǎn)能效應(yīng)失靈，NAND Flash本季仍供過于求、價(jià)格也將恢復(fù)走跌情勢！受到大陸十一長假銷售情況疲軟，研究機(jī)構(gòu)TrendForce（集...

2013-10-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 海力士 951 1

IDC：2013年半導(dǎo)體營收將達(dá)3200億美元

7月31日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，由于智能手機(jī)與平板電腦需求依舊強(qiáng)勁，IDC調(diào)高今年全球半導(dǎo)體營收評估，并預(yù)期2014年將進(jìn)一步增長。

2013-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 612 0

Gartner：2012-2017年硬盤市場收入將逐年攀升

Gartner近日發(fā)布了2012~2017年硬盤發(fā)貨量報(bào)告，報(bào)告預(yù)測2017年搭載NAND閃存的混合硬盤出貨量將是現(xiàn)在的163倍。但是分析報(bào)告并沒有明確...

2013-07-10 標(biāo)簽：NAND 大容量硬盤 HDD 1131 0

2013無線領(lǐng)域的NOR閃存營收將持續(xù)下滑

據(jù)IHS公司的閃存動態(tài)簡報(bào)，2013年無線領(lǐng)域的NOR閃存銷售額將比去年下降近三分之一，盡管NOR在嵌入領(lǐng)域的用量仍然保持很大。

2013-06-26 標(biāo)簽：PCM NOR閃存 NAND 1481 0

NAND閃存現(xiàn)曙光，今年?duì)I收有望大增

據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報(bào)，由于在手機(jī)、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大，NAND閃存市場今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。

2013-06-25 標(biāo)簽：閃存 NAND 固態(tài)硬盤 769 0

Intel企業(yè)級S3500系列SSD，攪動云計(jì)算市場

Intel公司近日發(fā)布了一組可以將數(shù)據(jù)中心移到全SSD存儲模型的固態(tài)硬盤，宣稱其能改善云計(jì)算環(huán)境、數(shù)據(jù)中心虛擬化、虛擬主機(jī)以及讀密集型應(yīng)用的性能。

2013-06-21 標(biāo)簽：NAND SSD Intel公司 1334 0

SanDisk發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的19納米SSD

瞄準(zhǔn)超輕薄超極本（Ultrabook）、筆記本電腦及平板裝置終端用戶對于更高運(yùn)算效能與反應(yīng)速度的SSD需求，SanDisk已率先業(yè)界發(fā)布采用19奈米（n...

2013-06-07 標(biāo)簽：NAND SSD SanDisk 1754 0

西數(shù)5毫米500GB硬盤，讓Ultrabook輕松“瘦身”

平板機(jī)內(nèi)部空間極為有限，因此在存儲方面都選擇了NAND、eMMC方案，使得容量受到了很大限制，尤其是Windows平板機(jī)，排除操作系統(tǒng)、備份等需要的空間...

2013-05-30 標(biāo)簽：NAND 西部數(shù)據(jù)5毫米硬盤 821 0

解析：硬盤廠商們所面臨的問題

作為Oracle和SUN公司的存儲部門總裁，米克·夏皮羅曾是Sun Microsystems 公司的著名工程師，同時(shí)也是公司的CTO及SUN的存儲部門副...

2013-05-27 標(biāo)簽：NAND 固態(tài)硬盤 675 0

東芝第二代19納米工藝NAND閃存即將投入量產(chǎn)

東芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布，該公司已經(jīng)開發(fā)出第二代19納米工藝技術(shù)，該技術(shù)將于本月晚些時(shí)候用于量產(chǎn)每單元2比特的64吉比...

2013-05-23 標(biāo)簽：NAND 19納米東芝公司 1375 0

智能手機(jī)、SSD熱力不減　NAND持續(xù)走揚(yáng)

今年NAND Flash存儲器需求將持續(xù)走揚(yáng)。IC Insights研究指出，為滿足使用者對低功耗、快速存取與高畫質(zhì)影音儲存需求，3C產(chǎn)品導(dǎo)入NAND ...

2013-04-26 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND SSD 584 0

NOR閃存前景不妙，SPI NOR閃存困境獲勝

今年NOR閃存營業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。NAND閃存已經(jīng)成為手機(jī)與平板電腦等移動產(chǎn)品所青睞的存儲解決方案。甚至在NOR...

2013-04-10 標(biāo)簽：閃存 NAND NOR 2793 0

NAND Flash原廠供貨下降，三月上旬合約價(jià)上漲

受到NAND Flash原廠對通路市場客戶持續(xù)緊縮供貨下，三月上旬NAND Flash合約價(jià)呈現(xiàn)上漲的走勢，特別是在低容量MLC與TLC部分，漲幅高達(dá)1...

2013-03-21 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND Flash 1682 0

智能互聯(lián)與嵌入式系統(tǒng) 引燃閃存新戰(zhàn)局

預(yù)計(jì)五大趨勢將持續(xù)推動閃存的銷售：1. 互聯(lián)設(shè)備的普及；2. 更為先進(jìn)的嵌入式應(yīng)用；3. 更優(yōu)秀的用戶界面互動；4. 對非易失性存儲器基礎(chǔ)技術(shù)的日益關(guān)注

2013-01-30 標(biāo)簽：閃存 NAND NOR 1361 0

ASIC熱潮再現(xiàn) 攪動2013年3110億美元半導(dǎo)體市場

“蘋果效應(yīng)”預(yù)計(jì)將在2013年持續(xù)發(fā)酵，有望帶動NAND產(chǎn)業(yè)與特定應(yīng)用集成電路（ASIC）的收入，增長率分別達(dá)17.2%和9.4%。 Gartner將蘋...

2013-01-23 標(biāo)簽：智能手機(jī)DRAM NAND 673 0

大數(shù)據(jù)分析，半導(dǎo)體技術(shù)必不可少?

進(jìn)行大數(shù)據(jù)分析時(shí)，半導(dǎo)體技術(shù)是必不可少的。雖然存儲器本身的技術(shù)開發(fā)也很重要，但對于大數(shù)據(jù)分析，使存儲器物盡其用的控制器和中間件的技術(shù)似乎更加重要。

2013-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存 DRAM 1761 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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