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Nexperia是大批量生產基本半導體的領先專家,這些半導體是世界上每個電子設計都需要的組件。該公司廣泛的產品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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在基礎半導體器件領域享有高產能生產專家之譽的 Nexperia(安世半導體)最近發布了 22 種新型平面肖特基二極管產品組合。此次發布的產品均采用了 C...
Nexperia推出反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器
PMEG SiGe設備(PMEGxGxELR/P)采用功率二極管行業標準的節省空間、高熱效率的CFP3和CFP5封裝。
Nexperia與Ricardo合作開發基于GaN的EV逆變器設計
的汽車咨詢公司在技術演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件
在全球電氣化和數字化浪潮不斷加速的今天,半導體技術作為其核心驅動力,正迎來前所未有的發展機遇。近日,全球知名半導體制造商Nexperia(安世半導體)宣...
74HC595D,118 (nexperia)8位移位寄存器中文參數_功能優點_功能圖_封裝
74HC595D,118是nexperia安世生產的一款具有存儲寄存器和三態輸出的8位移位寄存器,集成了存儲寄存器和三態輸出,專為靈活的串行到并行數據轉...
Nexperia發布適用于AEC-Q101高溫應用的二極管和晶體管
業內最受歡迎的適用于AEC-Q101高溫應用的BAS16 / 21二極管和BC807 / 817晶體管。
Nexperia PDTC114ET,215中文資料 焊腳 封裝尺寸
Nexperia(安世)推出的 PDTC114ET,215 是一款NPN預偏置晶體管,采用SOT-23封裝,旨在簡化電路設計。此產品集成了內置偏置電阻器...
Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管,可提供高精度基準電壓,擁有業內極低的±1%容差
Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應用,提供高精度、低容差基準電壓。
基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿...
Nexperia推用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的 ASFET 產品組合,推出 10 款全面優化的 ...
Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業應用實現更高功率密度
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術與成熟的LFPAK銅夾片技術相結合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。
TrEOS二極管完全支持USB4TM標準;具有低鉗位、低電容、低泄露特性,極高的魯棒性
Nexperia全新定義MOSFET產品 為特定應用提供優化的參數
Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供ASFET系列。
全球基礎半導體器件領域的領軍企業Nexperia(安世半導體)最近發布了全新的專用于監測和保護1.8V電子系統的4通道和8通道模擬開關系列產品。這一創新...
在半導體技術的持續創新浪潮中,Nexperia再次站在了行業的前沿,隆重推出了兩款專為高壓環境精心設計的650V超快速恢復整流二極管。這兩款產品不僅代表...
Nexperia迎來獨立公司成立五周年慶典 富士通亮相第二十三屆高交會
近日,富士通(中國)信息系統有限公司(以下簡稱“富士通”)連續第三年受邀參加高交會主論壇——中國高新技術論壇,分享了新常態下富士通如何利用數字化技術幫助...
Nexperia新8英寸晶圓生產線啟動,首批產品具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on)x Qrr)
Nexperia今日宣布,位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動,首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ,80 V...
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