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Nexperia是大批量生產基本半導體的領先專家,這些半導體是世界上每個電子設計都需要的組件。該公司廣泛的產品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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Nexperia迎來獨立公司成立五周年慶典,未來將繼續大展宏圖
Nexperia(安世半導體)今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨立實體進入半導體行業五周年。Nexperia仍是一個較為年輕的品牌,但憑借過去幾十年在半導...
Nexperia的50μA齊納二極管產品組合可延長電池續航時間,節省PCB空間
Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼(SMD)封裝選項,采用超小型分立式扁平無引腳(DFN)封...
Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管,可提供高精度基準電壓,擁有業內極低的±1%容差
Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應用,提供高精度、低容差基準電壓。
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列,繼續擴充寬禁帶半導體產品
工業級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規級部件。
Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權,正式更名為Nexperia Newport
這家威爾士半導體工廠將繼續專注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半導體等車規級產品的生產
Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標準邏輯DHXQFN封裝
封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm(14 引腳)、2 mm x 2.4 mm(16引腳)、2 mm x 3.2 mm(20引腳)和2 mm x 4 mm...
Nexperia新8英寸晶圓生產線啟動,首批產品具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on)x Qrr)
Nexperia今日宣布,位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動,首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ,80 V...
Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產能
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布了全球增長戰略最新舉措,即在未來12個月至15個月期間投資7億美元用于擴建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠...
Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業應用實現更高功率密度
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術與成熟的LFPAK銅夾片技術相結合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。
Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關應用提高效率
Trench肖特基整流器能夠實現超快的開關速度,既能減少整流器的開關損耗,又減少了同一換向單元中MOSFET產生的損耗(此種配置通常用于異步開關模式功率...
Nexperia推出適用于汽車應用中高速接口的新型ESD保護器件
全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用TrEOS技術的高性能4通道ESD保護器件。極低的每通道線路電容(低至0.25 pF)和低于0.05 pF...
Nexperia與聯合汽車電子有限公司就氮化鎵領域達成深度合作
隨著汽車電氣化、5G通信、工業4.0市場的不斷增長,基于GaN的主流設計正漸入佳境,勢必推動2021年及未來功率半導體的需求增長。
不斷增加的汽車電氣化、5G通信、工業4.0以及基于GaN的主流設計正漸入佳境,都將推動2021年及未來功率半導體的需求增長。
Nexperia計劃提高全球產量并增加研發支出 滿足不斷增長的功率半導體需求
通過新投資支持全球戰略,滿足不斷增長的功率半導體需求并提升GaN工藝技術; 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...
索尼Xperia與穿越火線合作 Xperia 5 II為官方比賽用機
2月2日消息,今日,索尼Xperia官方通過微博宣布,索尼正式成為2021穿越火線:槍戰王者職業聯賽首席合作伙伴,同時,索尼Xperia 5 II也成為...
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