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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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電路設(shè)計指南:用于反向電壓極性保護(hù)的PMOS MOSFET
如果電路的電源接反,例如將正極線接到地,負(fù)極線接到電路的Vcc。可能會發(fā)生兩件壞事,要么我們設(shè)計的電路連同其中所有昂貴的組件一起被燒毀,要么電源本身被毀...
硬件工程師的很多項目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象,導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
電源反接,會給電路造成損壞,電源反接是不可避免的。所以我們就需要給電路中加入保護(hù)電路,達(dá)到即使接反電源,也不會損壞的目的,下面介紹幾種常用防反接電路。
PMOS中的空穴遷移率比NMOS中電子的遷移率低,所以為了實現(xiàn)相同的電流輸出,我們需要將PMOS的寬度做的是NMOS寬度的2~3倍。
一般的電源開關(guān)電路,控制電源的目的是省電,控制靜態(tài)電流。不過以下的電路存在著幾個缺點。
2022-10-31 標(biāo)簽:MOS管NMOS電源開關(guān) 8367 0
設(shè)計具有 NMOS 和驅(qū)動IC 的防反保護(hù)電路時,NMOS 需放置在高邊,驅(qū)動IC也從高邊取電,這里將產(chǎn)生一個大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓,給 ...
由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇:當(dāng)V8V存在時,此時電壓全部由V8V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT不提供電壓給VSIN,而當(dāng)V8V為低時,VSIN由VBAT供電。
2022-10-20 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電路PMOS 7842 0
“晶體管開關(guān)”,是使用晶體管控制電路通斷的開關(guān)。根據(jù)實際應(yīng)用場景,也稱“模擬開關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開關(guān)(Logic Switch)...
2022-10-18 標(biāo)簽:開關(guān)電路NMOS晶體管 5658 0
通過D3, D4, R4,實現(xiàn)“浮地”拓?fù)洌摄Q位比較器的供電電壓,使其輸出不會超過MOS 管的最大柵源電壓V G S ( m a x ) 。
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長,可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
以常用的5V/2A為例。常用二極管串聯(lián)在電路中,在電源反接時,二極管承擔(dān)所有的電壓,有效防止電源反接損壞后級設(shè)備。但是,二極管上壓降較大,損耗較高。使用...
如圖所示,令左路電流為10u,PM1和PM0寬長比相同,則由電流鏡定律,右側(cè)電流也為10u,目標(biāo):設(shè)計較為精確的電流鏡,要求輸出(PM3漏端)電壓>...
此電路功能為三輸入與門形式,輸入為A,B,C,輸出為Y。用CMOS實現(xiàn)反相器電路,PMOS和NMOS管進(jìn)行全互補(bǔ)連接方式,柵極相連作為輸入,電路上面是三...
當(dāng)5V反接時,G極是高電平,Ugs》0,PMOS管不會導(dǎo)通,起到保護(hù)電路的作用。
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