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標(biāo)簽 > sic mosfet
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SiC MOSFET替代Si MOSFET,自舉電路是否適用?
自舉式懸浮驅(qū)動(dòng)電路可以極大的簡化驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì),只需要一路電源就可以驅(qū)動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開關(guān)管的驅(qū)動(dòng),可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。
2022-01-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電源自舉電路SiC MOSFET 4089 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓?
用+14V左右的穩(wěn)壓管Z1加上Z2管正向?qū)▔航担陂_通時(shí)候?qū)㈦妷悍€(wěn)定在+15V左右,這樣在開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)電容C10上就會(huì)有3V壓降。
2021-12-06 標(biāo)簽:單電源SiC MOSFET 5253 0
作者:Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是,如果使...
2021-03-11 標(biāo)簽:MOSFETSiC MOSFET 3103 0
探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對(duì)開關(guān)頻率的影響
由于快速的開關(guān),傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加,在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過最快速的開關(guān)速度和更高的頻率賦能,該框架減小了尺寸并提高...
2021-03-19 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)頻率SiC MOSFET 8108 0
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時(shí)也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動(dòng)器 4208 0
SiC MOSFET的短路測試下的引線鍵合應(yīng)力分析
除了提供緊湊,高效的解決方案外,WBG材料還必須在異常或關(guān)鍵工作條件(例如短路和極端溫度操作)的情況下滿足安全要求。
2021-05-18 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率轉(zhuǎn)換器CAD 2034 0
如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器的改進(jìn),以驅(qū)動(dòng)和保護(hù)SiC MOSFET
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗,柵極驅(qū)動(dòng)器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓,以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 標(biāo)簽:光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng)器SiC MOSFET 3153 0
隨著云計(jì)算的概念越來越流行,數(shù)據(jù)量越來越大,數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn),最終開始以更快的速度增長。它們已成為最大和最快的能源消耗來源,而 UPS(不間斷電源)...
2021-06-14 標(biāo)簽:整流器碳化硅SiC MOSFET 3101 0
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