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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測(cè)器設(shè)計(jì)研究
寬禁帶半導(dǎo)體光電探測(cè)技術(shù)在科學(xué)、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用,提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測(cè)功能,推動(dòng)了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
從一開(kāi)始的TO-247封裝的IGBT單管并聯(lián),到單管電流等級(jí)需求優(yōu)化的TO-247Plus封裝的IGBT并聯(lián),到如今的TPAK封裝,可以說(shuō)將單管并聯(lián)方式...
理想半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的挑戰(zhàn)
理想半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的挑戰(zhàn)
2023-10-26 標(biāo)簽:電源開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體 509 0
汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動(dòng)汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)到45年,電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷量的...
2023-09-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 673 0
最近,“行家說(shuō)三代半”發(fā)現(xiàn),通用電氣研究所(GE Research)發(fā)布文獻(xiàn)稱,他們已經(jīng)制造出擊穿電壓為3.8kV 的SiC超結(jié)JBS器件,其導(dǎo)通電阻僅...
? 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動(dòng)汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)到45年,電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷...
一個(gè)集成濾波功能的低噪聲放大器設(shè)計(jì)原理圖
濾波器在前端中也有著重要的作用,在接收機(jī)下變頻時(shí),鏡像頻段處的信號(hào)會(huì)變頻到中頻帶處,引入干擾,此時(shí)濾波器可用于抑制鏡像頻段處的干擾。而在常見(jiàn)的前端設(shè)計(jì)中...
新能源汽車的發(fā)展蒸蒸日上,對(duì)于半導(dǎo)體器件的要求,不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢(shì),...
二極管天天都在用,你了解多少? 二極管是一種基本的電子元件,發(fā)明于100多年前。 1904年,在研制無(wú)線電時(shí),人們?cè)噲D將一種弱電振蕩轉(zhuǎn)換成弱直流電流,英...
電動(dòng)汽車(EV)市場(chǎng)的發(fā)展相當(dāng)迅猛,但是汽車電池的充電速度與所需耗費(fèi)的時(shí)間,仍是電動(dòng)汽車發(fā)展的主要阻礙,如何提升汽車電池的充電速度與效率,將會(huì)是電動(dòng)汽車...
2023-09-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET充電器 1244 0
SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢(shì)
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基...
隨著碳達(dá)峰,碳中和的提出,新能源相關(guān)的產(chǎn)業(yè)可以說(shuō)是得到了飛速的發(fā)展,包括風(fēng)光儲(chǔ)以及馬路上每天看得見(jiàn)的新能源汽車。
隨著新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng),行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。
淺談SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
米勒平臺(tái)產(chǎn)生的原因,是在MOSFET開(kāi)通過(guò)程中,當(dāng)DS之間電壓從高到低跳變時(shí),門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電,不給柵-源電容Cgc充電,從而V...
碳化硅(SiC)相較于硅(Si)有哪些優(yōu)勢(shì)!
硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了臨界點(diǎn),即無(wú)可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)一項(xiàng)技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。
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