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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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硅碳化物(SiC)技術已經達到了臨界點，即無可否認的優勢推動一項技術快速被采用的狀態。
作為“二十世紀最重要的新四大發明”之一，半導體的重要性不言而喻。從電子產品到航空航天，從人工智能到生物醫學，半導體無處不在，深刻地塑造著我們生活的方方面面。
太陽能逆變器和ESS應用以及其他可再生能源系統正在使能源網現代化，以提高彈性，滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統必須在惡劣的環境中盡可能高效，...
如今，大多數半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于M...
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率、強化學穩定性等優良特性
超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實現特征成像。
電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應用中的不到2kW，到高端電動汽車中的22kW不等。傳統上，...
截至2023 年6月末，全國充電樁保有量為665.2萬臺，同比增加 69.8%。其中，公共充電樁占比 32.3%，私人充電樁占比 67.7%。近年來車樁...
在全世界都致力于實現碳中和的同時，電動汽車 (EV) 也在迅速搶占內燃機汽車的市場份額。 然而，電動汽車存在里程焦慮的問題，用戶會擔心在不充電的情況下E...
碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應地帶來效率的替身，系統磁性元器件減小，功率...
在新能源汽車終端市場中，隨著SiC材料價格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增長，來自于車載充電、驅動逆變和DC-DC轉換。
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能，氮化鎵...
始于19世紀初期半導體材料的研究至今已經由第一代半導體材料發展到了第四代半導體材料，其中較為矚目的莫過于第一代半導體材料si和第三代半導體材料sic了。
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區別 SiC-MOSFET與IGBT的區別
率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，對其改良可以實現低損耗與應用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導體具有低損耗、高速開關、高溫工作等優勢。
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...
以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料具有高 擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密 度、高遷移率、可承受大功率等特點，非常適合 制作應用于高頻、...
碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的...
傳統模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局，電流回路面積大，雜散電感參數大。CPES...
碳化硅的主要特性是什么？為什么碳化硅在高頻下的性能優于IGBT？
碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。
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