安森美碳化硅芯片的設(shè)計(jì)進(jìn)展及技術(shù)分析

減小了電場集中效應(yīng)，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個(gè)開關(guān)單元有關(guān)，同時(shí)和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。

2023-04-07 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1459 0

基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-04-07 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 456 0

用于碳化硅的Aehr測試系統(tǒng)的技術(shù)差距

Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測試設(shè)備。許多其他事情中，ATE工具取出探針卡，將它們與晶圓上的芯片完美對齊，并與晶圓上的電路進(jìn)行物...

2023-04-04 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體制造 1533 0

Si3N4為何要用AMB工藝？AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動(dòng)汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。

2023-04-01 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiCDBC 7612 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見的類型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。

2023-04-01 標(biāo)簽：MOSFETJFETSiC 2428 0

用于高功率密度應(yīng)用的碳化硅功率器件

交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。

2023-03-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1391 0

SiC和GaN的共源共柵解決方案

GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數(shù)以億計(jì)的此類設(shè)備，其中許多每天運(yùn)行數(shù)小時(shí)，因此節(jié)省的能源將是巨大的。

2023-03-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車led逆變器 681 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。

2023-03-28 標(biāo)簽：IGBTSiC氮化鎵 3326 0

有趣的材料—無處不在的碳化硅

電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測領(lǐng)域前景廣闊，在熱導(dǎo)率、擊穿場等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材...

2023-03-24 標(biāo)簽：電子器件SiC碳化硅 1756 0

擴(kuò)展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用需求

日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應(yīng)用...

2023-03-24 標(biāo)簽：功率開關(guān)PDSiC 1143 0

AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢

AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

2023-03-17 標(biāo)簽：逆變器IGBT功率器件 3813 0

對Si3N4-AMB覆銅基板較為關(guān)心的三大方面

隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。

2023-03-16 標(biāo)簽：PVDSiC功率模塊 3424 0