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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅因其獨特的性能而被譽為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性,以及它在電力電子設備中的應用。
碳化硅(SiC)是一種高性能的半導體材料,基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為新能...
硅早已是大多數電子應用中的關鍵半導體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現在已開始被多種應用采納,特別是電動汽車,以應對開發高效率和高功率器件所...
從6寸把它發展到8寸,這樣在襯底上做出來的器件,就可以降低單個器件的襯底所占的成本,這是一個國際上發展的趨勢。
碳化硅(SiC)是第三代化合物半導體材料。半導體材料可用于制造芯片,這是半導體行業的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
由于襯底和外延和芯片的技術發展相關性不是特別大,所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術發展比如MOSFET的平面結構或者溝槽結構都是直...
設計多電飛機(MEA)的飛機制造商希望將飛行控制系統從液壓轉換為電動,以減輕重量和設計復雜性。
碳化硅作為一種寬禁帶材料,具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率等優點,可以實現高壓、大功率、高頻、高溫應用的新型功率半導體器件。該文對碳化硅功率...
SA111采用碳化硅(SiC)技術和領先的封裝設計,突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
碳化硅(SiC) 是第三代半導體,相較于前兩代半導體(一代硅,二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能,上優于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...
SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構,帶來了諸多優勢:首先,“絕緣埋層”實現了器件功能有源部分和襯底的全介質隔離,減小了寄生電容,開關頻率得以提高。
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導通損耗和開關損耗相關,而SiC逆 變器在這兩點均...
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優化和技術創新,包括鍵合...
碳化硅市場產業鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產、碳化硅件研發和封裝測試四個部分,分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...
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