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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是...
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機驅動電路設計中的特點分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。
三菱電機開發了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內部采用半橋拓撲,一般的大功率應用可以采用并聯連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行,需要考慮模塊自...
EQC的銅排設計看上去很不合理,不過需要考慮從兩個分離的負極單獨取電,然后匯集到配電盒里面,對驅動系統和充電系統的配置有一些想法,這項工作的復雜度就比較...
推出電動汽車(EV)的通告已經鋪天蓋地地席卷了全球。這些標題的吸睛點和不同點在于電動汽車遠程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍:目前,在所有駕駛...
使用三種無鉛焊料系統:Sn96.5-Ag3.5、Ag74.2-In25.8和Au76-In24幾乎實現了無孔隙焊點。實驗看到,焊點厚度在熱退火之前和之后...
氮化鎵提供更低的開關損耗、更快的開關速度、更高的功率密度、更好的熱預算、從而提高電動汽車的功率輸出和能效,且降低了重量和成本。
MOS管的構造,工作原理,特性,電壓極性和符號規則的詳細資料概述
隨著社會的進步和發展,MOS管在電子行業的應用越來越廣泛,薩科微電子SLKOR作為能夠研發生產碳化硅SiC產品的“碳化硅專家”,必須來科普一下這方面的知識。
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是...
億緯鋰能采取多元化品類并存路線,包括鋰原電池、復合電源、消費類鋰離子電池及動力/儲能電源系統等。在動力方面的主要產品類型包括:圓柱三元(18650/21...
2018-06-22 標簽:SiC 2.0萬 0
在PWM逆變器驅動時的損耗仿真中,與同等額定電流的IGBT模塊相比,相同開關頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%,總體損耗顯著降低。...
為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅動芯片,需要考慮幾個方面?
SiC MOSFET與傳統硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...
SiC和GaN功率半導體在混合動力和電動汽車的主傳動系逆變器中的應用
SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管(晶體管、開關管)。SiC功率器件可使電力電子系統的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增,帶來體積...
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