Qorvo SiC FET在ZVS軟開關技術應用中的卓越表現

從石器時代到信息時代，人類對高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統等前沿科技的蓬勃發展，電力電子設備面臨的挑戰與日俱增。開關...

2024-07-25 標簽：ZVS軟開關SiC 1353 0

源漏嵌入SiC應變技術簡介

源漏區嵌入SiC 應變技術被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長技術在源漏嵌入 SiC 應變材料，利用硅和碳晶格常數...

2024-07-25 標簽：NMOSSiC晶格 970 0

PCIM2024論文摘要｜并聯SiC MOSFET的均流研究

/摘要/并聯SiCMOSFET面臨著許多技術挑戰,包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數對并聯SiCMOSFET分流影響的理論分析和...

2024-07-25 標簽：MOSFET驅動電路SiC 632 0

使用SiC技術應對能源基礎設施的挑戰

本文簡要回顧了與經典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標簽：MOSFETSiC碳化硅 426 0

用SiC JFET技術徹底改變電路保護

20世紀中葉，住宅和工業電氣系統經歷了重大創新。其中最具影響力的進展之一是從傳統的可更換保險絲轉向微型斷路器(MCB)。雖然保險絲提供了基本的保護，但在...

2024-07-24 標簽：斷路器電路保護SiC 581 0

詳解電力電子領域碳化硅(SiC)的熱行為

碳化硅(SiC)在功率電子學中相比傳統的硅工藝技術具有眾多優勢。它結合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導率。得益于這些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 標簽：SiC碳化硅功率電子 3.2萬 0

三種功率器件的應用區別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶...

2024-07-18 標簽：MOSFET半導體晶體管 6845 0

驅動SiC MOSFET有多容易？

得益于寬禁帶半導體的材料優勢，SiCMOSFET在電力電子行業中的應用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統Si基器件不同，對驅動設計也提出了更高...

2024-07-12 標簽：MOSFET驅動SiC 322 0

基于安森美碳化硅模塊的換電站中充電電路設計

在電動車發展的過程當中，充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電，但其無法滿足快充的需求。現在充電樁發展迅速，已經有...

2024-07-08 標簽：安森美SiC充電站 649 0

SiC功率器件性能和可靠性的提升

在電力電子領域，碳化硅(SiC)技術對于推動向電動移動性的轉變和提高可再生能源系統的效率至關重要。隨著市場需求的增加，功率半導體公司面臨著迅速擴大生產能...

2024-07-04 標簽：功率器件SiC器件 1621 0

AI數據中心電力飆升，安森美高能效MOSFET如何見招拆招？

安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術，降低了開關損耗和導通損耗，并進而顯著降低了其 Qg，RDS(O...

2024-06-29 標簽：MOSFET安森美數據中心 884 0

UPS系統設計方案解讀

UPS的應用場景日趨多樣化，每個場景都有其獨特的需求，對應不同的方案。UPS系統方案指南繼續上新，本文將聚焦UPS設計方案展開講述。

2024-06-26 標簽：充電器安森美SiC 947 0

一文了解SiC MOS的應用

作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換...

2024-06-21 標簽：半導體MOSSiC 561 0

用碳化硅(SiC)重新思考軟開關效率

從理論上講，碳化硅(SiC)技術比硅(Si)具有優勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關注該...

2024-06-19 標簽：電阻MOSFETSiC 794 0

氧化鎵器件，高壓電力電子的未來之星

超寬帶隙(UWBG)半導體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現出其在高壓電力電子領域的...

2024-06-18 標簽：半導體SiC電力器件 768 0

并行連接的SiC MOSFET可以帶來更多電力

功率器件(如開關、電阻和MOSFET)的并聯連接旨在分擔功率，使設備能夠承受更大的功率。它們可以并聯連接，以增加輸出電流的容量。由于不受熱不穩定性的影響...

2024-06-03 標簽：電流MOSFETSiC 899 0

碳化硅(SiC)功率器件的開關性能比較

過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉換器中的高功率密度和高效率而備受關注。制造商們已經開始采用碳化硅技術來開發基于各種半導體器件的功率模塊，如...

2024-05-30 標簽：功率器件SiC碳化硅 950 0

SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

首先，計算開通和關斷時間內消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...

2024-05-29 標簽：MOSFET導通電阻SiC 1579 0

碳化硅襯底片比較重要的參數有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數。確保襯底的晶格常數與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應力。

2024-05-19 標簽：半導體SiC碳化硅 1021 0